Samsung reporte indéfiniment la production de mémoire HBM5E après des rendements D1d DRAM inférieurs aux objectifs internes

Samsung temporiserait la production de sa DRAM 1d (7e génération 10 nm) destinée aux prochaines mémoires HBM, freinée par des rendements inférieurs aux objectifs. Selon IT Chosun, malgré un feu vert de pré‑production, le lancement d’un lot pilote ne garantirait pas un retour sur investissement acceptable. Le calendrier d’HBM5E s’en trouverait décalé, tandis que le groupe renforce ses capacités back‑end avec une nouvelle usine à Onyang pour sécuriser l’industrialisation.

Contexte

La DRAM 1d (7e génération 10 nm) de Samsung pour les futures solutions HBM pourrait ne pas passer en production prochainement en raison de rendements insuffisants.

La DRAM de nouvelle génération de Samsung pour la mémoire HBM5E ne serait pas prête pour la production

D’après un article du média coréen IT Chosun, les rendements inférieurs aux objectifs de la DRAM 1d « D1d » gravée en 10 nm poussent Samsung à envisager de suspendre la production de masse de ses prochaines solutions HBM.

La technologie de DRAM a bien reçu une approbation de pré‑production (PRA), mais des doutes persistent sur la rentabilité d’un lot d’essai, et a fortiori d’une montée en cadence, tant que les rendements ne sont pas au niveau attendu.

« Samsung Electronics prévoit de repousser indéfiniment la production de masse tant que le rendement D1d n’atteindra pas le niveau visé ; à ce stade, aucune reprise n’est déterminée », confie une source proche du dossier. « L’entreprise se concentre sur l’amélioration du rendement en réexaminant intégralement la roadmap des procédés. »

Traduction automatique via IT Chosun

La D1d doit occuper une place clé dans la roadmap HBM de Samsung et serait prévue pour HBM5E, la 9e génération de mémoire HBM du groupe.

La DRAM 1c équipe aujourd’hui trois générations de produits HBM, dont HBM4, HBM4E et HBM5. HBM4 doit arriver plus tard cette année pour les plateformes Vera Rubin de NVIDIA et MI400 d’AMD, tandis que HBM4E ciblerait Rubin Ultra et les accélérateurs MI500. HBM5 et des déclinaisons sur mesure seraient destinées aux gammes Feynman de NVIDIA et à d’autres solutions concurrentes.

Il y a quelques jours, nous évoquions la réduction marquée du cycle de développement HBM chez Samsung. Des itérations plus rapides n’impliquent pas pour autant une préparation industrielle immédiate : le développement et la production sont deux phases distinctes, et c’est bien la production qui, d’après le nouveau rapport, pose un goulot d’étranglement.

En parallèle, Samsung Electronics investit dans un vaste site à Onyang, en Corée, dimensionné à l’équivalent de quatre terrains de football, pour les DRAM de prochaine génération, dont la HBM. Ce site doit centraliser l’assemblage, le test, la logistique et le contrôle qualité, des étapes déterminantes pour une production soutenue.

Accélérer les développements tout en étendant les capacités industrielles doit permettre à Samsung de tenir tête à SK Hynix, qui aurait déjà validé des rendements pour sa propre D1d. Les deux acteurs cherchent à verrouiller de gros contrats chez les leaders de l’IA ; celui qui saura diversifier son offre HBM, maintenir l’effort de R&D et d’industrialisation, tout en garantissant des rendements stables et un ROI solide, prendra l’avantage.