Samsung vise fin 2027 pour la production en série de DRAM 1d, en course pour alimenter la mémoire IA HBM5 nouvelle génération
Samsung se prépare pour l’ère de la mémoire DRAM 1d. D’après des sources du secteur, le fabricant coréen planche déjà sur l’équipement nécessaire et vise un début de production de masse pour la seconde moitié de 2027.
Samsung évalue ses capacités pour la production de DRAM 1d
D’après un rapport de ZDNet Korea, Samsung développe actuellement des équipements avec ses partenaires pour lancer la production de la prochaine génération de DRAM. Les puces mémoires actuelles du fabricant utilisent la technologie 1c, qui fabrique les composants sur un plan horizontal. Cette approche repose largement sur la lithographie ultraviolet extrême et des grilles métalliques.
L’objectif de Samsung est d’introduire les machines de production de cette nouvelle génération dans ses usines dès le deuxième trimestre 2027. Si ce calendrier ambitieux est respecté, la production des puces avancées pourrait donc démarrer dans le courant du second semestre de la même année.
La production de masse pourrait démarrer fin 2027
La DRAM 1d représente un changement fondamental, car il s’agit de la première génération à adopter un empilement vertical des condensateurs, contrairement aux précédentes où les cellules mémoire étaient placées côte à côte. Le processus se complexifie également en utilisant une plaquette distincte pour la circuiterie périphérique, qui est ensuite intégrée à celle des circuits des cellules mémoire.
Avec l’introduction des machines de production prévue pour le premier semestre 2027, les puces pourraient donc entrer en production de masse dans la seconde partie de l’année. Les sources ajoutent que Samsung devrait finaliser ses plans de production de masse d’ici la fin 2026.
L’importance de la mémoire dans la chaîne d’approvisionnement mondiale des semi-conducteurs a augmenté avec l’intelligence artificielle. Les puces IA nécessitent une mémoire à haut débit, fabriquée en empilant des puces DRAM. La mémoire 1c de Samsung est utilisée dans la dernière génération HBM4, et les observateurs estiment que les puces 1d pourraient intégrer la prochaine génération HBM5E. Samsung avait déjà choisi de sauter des générations de DRAM pour le HBM, en associant sa mémoire 1c à des dies fabriqués en interne en technologie de 4 nanomètres.
