Samsung assemble deux puces NAND de 450 couches en une seule et vise des SSD 1000 couches d’ici 2030 pour quadrupler la capacité

La densité des SSD est en passe de faire un bond considérable. Lors du VLSI Symposium 2026, Samsung a détaillé sa roadmap pour atteindre les 1000 couches de mémoire NAND. L’objectif est clair : répondre à la demande croissante de capacités de stockage colossales.

La roadmap vers la mémoire NAND à 1000 couches

L’an dernier, des informations laissaient entendre que Samsung travaillait sur une NAND à 1000 couches grâce à de nouveaux matériaux. Le géant coréen a désormais officialisé sa stratégie pour y parvenir d’ici 2030.

Face à une forte demande pour des SSD haute capacité, Samsung accélère son développement pour augmenter le nombre de couches par puce. Alors que l’industrie entre dans l’ère des 400 couches, le but est d’atteindre 1000 couches pour les applications haut de gamme vers la fin de la décennie.

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Selon le calendrier présenté, Samsung vise les 420 couches d’ici 2029, puis plus de 560 couches en 2030. Le début de la décennie suivante devrait voir l’arrivée de solutions dépassant les 1000 couches. Cette multiplication pose des défis techniques, notamment des problèmes de déformation des wafers et des coûts. Samsung affirme avoir maîtrisé ces aspects grâce à un contrôle de la warpage et des processus de correction d’alignement avancés.

Pour réaliser une V-NAND de 900 couches, le fabricant a dû résoudre le problème de gauchissement des wafers avec une conception spécifique, et corriger les erreurs d’alignement via des technologies dédiées.

Actuellement, c’est SK Hynix qui mène la course, ayant été le premier à commercialiser une NAND à 321 couches. Les travaux sur la NAND à 400 couches sont déjà en cours, utilisant des techniques de collage vertical chez Samsung et de collage hybride chez SK Hynix.

La solution multi-couches de Samsung repose sur l’assemblage de deux cellules de 450 couches chacune, connectées par une technique de liaison spécifique. Selon le Dr. Ian Cutress, cette approche pourrait permettre à un SSD QLC de 8 To d’offrir une capacité de 32 To.

Parallèlement, le chinois YMTC accélère aussi ses plans NAND. La société propose déjà des puces à 294 et 232 couches, et réduit son retard face à Samsung, SK Hynix et Micron. YMTC investit massivement dans de nouvelles usines pour doubler sa production à un moment où le cycle de l’IA crée un déséquilibre entre l’offre et la demande.

L’approche par NAND superposée pour dépasser 900 couches en est encore au stade du prototype, mais elle trace la voie vers une expansion majeure du stockage. La V-NAND à 1000 couches vise une sortie pour 2030, après le déploiement des modèles à 400+ couches dans les prochaines années.