Pat Gelsinger, ex-PDG d’Intel : la HBM est une « mémoire hideuse », même face aux pénuries de DRAM jusqu’en 2028

L’ancien PDG d’Intel réitère ses critiques sévères contre la mémoire HBM, la qualifiant de solution imparfaite. Cette controverse technique survient alors que l’industrie signale des tensions d’approvisionnement sur la DRAM classique, directement liées à la montée en puissance de l’IA.

Pat Gelsinger, l’ancien patron d’Intel, enfonce le clou

Lors d’un entretien avec a16Z, l’ancien dirigeant d’Intel a délivré une critique sans concession de la mémoire High-Bandwidth Memory (HBM) :

« La HBM est une mémoire hideuse. C’est juste la meilleure que nous ayons. … C’est une mémoire terrible. J’obtiens une densité de bits affreuse. Je suis limité par la bande passante du périmètre du die, les problèmes de puissance, les problèmes thermiques. La DRAM n’aime pas la chaleur. Tout concentrer au même endroit. … c’est terrible pour une IA [qui] est une charge de travail mémoire et calcul. »

Le problème principal évoqué, celui de la « bande passante du shoreline », est un goulot d’étranglement physique. Il est causé par l’interface PHY, nécessaire pour connecter le cœur de calcul aux empilements de HBM. Cette architecture « large et lente » requiert un nombre colossal de connexions parallèles, occupant une grande partie du périmètre du die de calcul et limitant le nombre de piles HBM pouvant y être adjacentes.

Cette contrainte architecturale s’accompagne d’un défi thermique majeur. L’interface PHY génère un point chaud qui peut nuire à l’efficacité de la HBM. Selon une analyse de la KAIST, lorsque la consommation de la HBM dépasse environ 30 Watts, la chaleur produite par le PHY devient la source principale de stress thermique pour la mémoire.

Enfin, la structure même de la HBM, où les dies de DRAM sont connectés par de nombreuses liaisons verticales (TSV), réduit la densité de bits sur chaque die individuel, même si l’empilement complet offre une densité supérieure au millimètre carré.

Ces propos font écho à ceux tenus par Pat Gelsinger en juillet dernier, lors du sommet RAISE, où il avait déjà qualifié la HBM de mémoire « nulle ».

« Nous avons entendu parler de la HBM, la mémoire à haute bande passante. Et la HBM est une mémoire nulle. Et je sais que mes amis spécialistes de la mémoire vont monter sur scène, et traiter leur bébé de laid n’est peut-être pas la meilleure façon de se faire des amis et d’influencer les gens. Mais c’est une mémoire nulle. »

Parallèlement à ces critiques, la production de HBM, qui nécessite environ trois fois plus de wafers que la DRAM standard de taille similaire, crée des tensions sur le marché. La société Nanya a confirmé cette tendance lors de son récent bilan, indiquant que l’IA modifiait structurellement le paysage de la mémoire et que les pénuries de DRAM classique devraient se prolonger jusqu’au début de l’année 2028.