Samsung pourrait adopter le 2nm pour ses dies HBM de base, prolongeant sa roadmap 4nm HBM4
Samsung étudierait la possibilité de fabriquer des dies logiques pour ses puces HBM sur une ligne de R&D. Selon un rapport, cette future ligne pourrait utiliser un procédé 2 nm et alimenter les GPU NVIDIA.
Samsung vise la fabrication en 2 nm pour les dies HBM de NVIDIA
Le géant sud-coréen des semi-conducteurs, Samsung, pourrait reconvertir une ligne de production au sein d’une installation de R&D en construction pour fabriquer les dies logiques de base de ses puces mémoire HBM. Ces informations, rapportées par ZDNet, précisent que l’ouverture du site étant prévue dans environ deux ans, ces plans restent sujets à modification.
Samsung veut produire le die de base de ses puces HBM en technologie 2 nm pour NVIDIA
La conception des puces mémoire HBM, principalement utilisées dans le calcul pour l’IA, implique l’empilement de plusieurs puces DRAM. À mesure que les exigences de performance augmentent, cette architecture évolue. Outre le nombre de couches, le die de base est lui aussi un élément clé en transformation.
La première mise à jour significative du die de base est intervenue avec l’arrivée des mémoires HBM3 et HBM3E. Pour répondre à l’augmentation des débits et des vitesses de transmission, les fabricants ont alors adopté pour la première fois des procédés de fonderie logique, utilisant des nœuds allant de 20 à 12 nanomètres.
Un nouveau changement a eu lieu avec les puces HBM4, désormais présentes dans les derniers produits pour l’IA, comme les puces Rubin de NVIDIA. Cette évolution a été rendue nécessaire par les débits très élevés du HBM3E et des bus plus larges, nécessitant davantage de TSV (via-silicium). Ces exigences ont conduit des fondeurs comme TSMC et Samsung Foundry à prendre en charge la fabrication du die de base HBM.
D’après un nouveau rapport de ZDNet, Samsung envisagerait d’affecter une ligne de son futur complexe de R&D du district industriel de Giheung, en Corée, à la production de dies de base HBM en technologie 2 nm. Ces composants pourraient être destinés aux puces IA de NVIDIA, et la ligne concernée serait la NRD-K Line 2.
Plus tôt cette année, Samsung avait annoncé vouloir utiliser sa technologie 4 nm pour ses puces HBM4. De son côté, SK hynix collabore également avec une fonderie, s’étant associé à TSMC. Ce dernier propose à la fois le nœud mature N12 et le nœud avancé N5 pour la construction de puces HBM. Le troisième acteur majeur, Micron, a lui aussi conclu un partenariat avec TSMC pour ses mémoires HBM4.
