Samsung dépasse le mur mémoire et stockage avec V10 BV-NAND à plus de 400 couches et zHBM qui place la HBM directement sur les puces IA
Lors du FMS 2026, Samsung a levé le voile sur plusieurs technologies mémoire et stockage de nouvelle génération. Entre le zHBM, le zNAND-O et le V10 BV-NAND, le constructeur coréen pose les bases d’une refonte en profondeur des architectures pour l’IA et le calcul haute performance.
Samsung dévoile ses futures technologies mémoire à FMS 2026
Samsung a présenté de nouvelles technologies de mémoire et de stockage lors du FMS 2026, notamment le V10 BV-NAND, le zHBM et le zNAND-O.
Les accélérateurs IA de nouvelle génération empileront d’immenses stacks HBM verticaux directement au-dessus d’eux avec la technologie zHBM de Samsung
Alors que les besoins en IA et en calcul continuent de croître, les technologies actuelles commencent à montrer leurs limites, obligeant les fabricants à investir dans des concepts transformateurs qui joueront un rôle fondamental dans l’infrastructure IA future.
Lors du FMS 2026, Samsung a dévoilé deux nouvelles technologies encore au stade de concept, mais qui pourraient devenir majeures si elles sont concrétisées et intégrées dans du silicium réel, comme les accélérateurs IA.
La technologie principale mise en avant est la solution mémoire zHBM. Selon Samsung, zHBM reprend le design HBM existant et le place directement au-dessus de l’accélérateur IA. Actuellement, la mémoire HBM est située à côté du die de calcul principal de l’accélérateur IA, mais l’avoir au-dessus permet de gagner de la place et d’offrir de meilleurs gains en termes de vitesse de transfert de données.
zHBM promet une bande passante plus élevée et une meilleure efficacité énergétique. Samsung annonce un bond de performance 8 fois supérieur par rapport à une solution HBM5 classique, un gain de densité mémoire de plus de 10 fois, une efficacité énergétique multipliée par 3 et une résistance thermique réduite de plus de moitié.
Samsung a des raisons de ne pas entrer dans les détails techniques, car la technologie est encore à un stade de concept précoce, mais le constructeur indique que zHBM offrira une flexibilité en termes de designs spécifiques aux clients. Samsung travaille déjà avec ses clients pour optimiser l’intégration de zHBM sur les futurs accélérateurs IA.
zNAND-O repousse les limites du stockage
La deuxième technologie dévoilée est le zNAND-O, une solution NAND haute performance et de nouvelle génération construite sur la base du V-NAND de Samsung.
Il se déclinera en configurations 4 et 8 couches et combinera une haute efficacité spatiale, des performances d’entrée/sortie améliorées et une faible latence. zNAND-O est conçu pour les applications d’IA en périphérie, mais on ne sait pas s’il s’agit de la technologie V-NAND multi-empilée qui sera prête autour de 2030.
Dépasser les 400 couches avec le NAND
Enfin, Samsung a présenté sa solution NAND de nouvelle génération appelée V10 BV-NAND. Il s’agit de la première architecture V-NAND de Samsung à utiliser le bonding hybride, et elle franchit le cap des 400 couches.
Avec BV-NAND, les designs de stockage V10 de Samsung offriront des performances et une efficacité énergétique accrues, tout en augmentant massivement la densité de stockage. La technologie est simple : elle utilise le bonding hybride pour empiler les cellules mémoire les unes sur les autres au lieu de créer une seule cellule avec des couches plus denses. La densité mémoire progresse de 58% par rapport au V9 NAND, et les performances en lecture, écriture et entrée/sortie sont également améliorées par rapport aux générations précédentes.
Précisons que Samsung planifie déjà d’atteindre plus de 1000 couches avec des approches de bonding hybride, et que BV-NAND a officiellement lancé cette tendance. Dans les années à venir, la capacité de stockage va augmenter rapidement dans l’ensemble du portefeuille SSD et stockage de Samsung, tandis que ses solutions mémoire connaîtront un rythme d’innovation rapide avec des technologies comme zHBM, HBM4E, HBM5, GDDR7 et au-delà.
