Micron double la mise sur la mémoire IA avec des RDIMMs DDR5 256 Go à 9200 MT/s, +40 % par rapport aux modules actuels

Micron expédie désormais ses modules mémoire DDR5 RDIMM les plus performants, avec une capacité de 256 Go et des vitesses maximales de 9200 MT/s. Ces produits exploitent la technologie 1-gamma de pointe pour accélérer les tâches d’intelligence artificielle dans les serveurs. Ils offrent un gain de 40 % en vitesse et en efficacité énergétique par rapport aux modules actuels en production de masse.

Micron offre 40 % de gain par rapport aux modules DDR5 RDIMM actuels en production de masse, apporte 256 Go de capacités avec 9200 MT/s

Les besoins en intelligence artificielle agentique s’intensifient, poussant les fabricants de mémoire à proposer des kits plus rapides et plus capaciteurs pour satisfaire les entreprises du secteur. JEDEC avance aussi le standard DDR5 MRDIMM jusqu’à 12 800 MT/s. Micron annonce aujourd’hui l’échantillonnage de ses modules DDR5 RDIMM de 256 Go à 9200 MT/s. Les principaux atouts sont :

• Conçus avec la technologie DRAM 1-gamma de Micron, incluant l’empilement 3D (3DS) et les vias traversant le silicium (TSV)
• Performances jusqu’à 9200 MT/s, soit plus de 40 % plus rapides que les modules produits en volume actuellement
• Un module unique de 256 Go diminue la consommation électrique de plus de 40 % par rapport à deux modules de 128 Go, un avantage clé pour les data centers gérant les grands modèles de langage, l’IA agentique et l’inférence en temps réel
• Validation conjointe sur les plateformes serveurs actuelles et futures avec les partenaires de l’écosystème pour hâter le déploiement en production

Communiqué de presse : Micron Technology annonce avoir fourni des exemplaires de modules mémoire enregistrés DDR5 RDIMM de 256 Go aux principaux acteurs de l’écosystème serveur. Ce module repose sur la technologie 1-gamma de l’entreprise, capable d’atteindre 9200 mégatransfers par seconde (MT/s), dépassant de plus de 40 % les vitesses des modules produits en volume aujourd’hui.

Le module de Micron intègre des techniques d’empaquetage avancées, l’empilement 3D (3DS) et plusieurs dies mémoire reliés par des vias traversant le silicium (TSV). Associées au DRAM 1-gamma de Micron, ces avancées garantissent la capacité, la vitesse et l’efficacité énergétique nécessaires aux systèmes d’IA de nouvelle génération. Un module de 256 Go unique consomme plus de 40 % d’énergie en moins que deux modules de 128 Go, favorisant une meilleure efficacité dans les data centers dédiés à l’IA moderne.

Validation avec les partenaires de l’écosystème

Micron travaille avec les principaux acteurs de l’écosystème pour valider le module DDR5 RDIMM 1-gamma de 256 Go sur leurs plateformes serveurs actuelles et de prochaine génération. Cette validation conjointe assure une compatibilité étendue et accélère le déploiement en production pour les clients de data centers développant des infrastructures IA et HPC à grande échelle.

Répondre aux besoins mémoire des applications IA

L’essor rapide des grands modèles de langage, de l’IA agentique, de l’inférence temps réel et des charges CPU à haut nombre de cœurs exige plus de capacité mémoire, de bande passante et d’efficacité énergétique dans les serveurs d’entreprise. Le module DDR5 RDIMM de 256 Go de Micron répond précisément à ces attentes, permettant aux architectes de serveurs, aux opérateurs hyperscale et aux partenaires de maximiser la mémoire par socket tout en respectant les contraintes thermiques et électriques des data centers modernes.

Échantillonnage et disponibilité
Micron fournit actuellement des exemplaires du module DDR5 RDIMM 1-gamma de 256 Go aux principaux acteurs de l’écosystème serveur pour validation sur plateforme.