Intel ZAM Memory, alternative HBM économe et dense, reçoit un coup de pouce du Japon

Le projet de mémoire ZAM d’Intel, mené avec SAIMEMORY (SoftBank), vient de franchir une étape clé grâce au soutien de l’agence japonaise NEDO. Cette impulsion publique accélère le calendrier et vise à lever les goulots d’étranglement mémoire qui freinent l’IA et le HPC. ZAM, pensé pour de fortes densités, une large bande passante et une consommation réduite, s’affiche déjà comme une alternative crédible au HBM. Les partenaires japonais et internationaux seront mis à contribution pour l’industrialiser à grande échelle.

Contexte et enjeux autour de ZAM

Intel annonce que son projet de mémoire ZAM, développé avec SAIMEMORY, filiale de SoftBank, bénéficie d’un important soutien venu du Japon.

Le Japon accélère le plan de développement sur 3,5 ans de ZAM, la mémoire d’Intel et SoftBank

Dans leur dernière communication, Intel Kabushiki Kaisha (Intel K.K.) et SAIMEMORY, filiale de SoftBank, indiquent que la NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) a retenu ZAM, un standard mémoire de nouvelle génération envisagé comme un remplaçant du HBM.

Avec cette sélection par la NEDO, le programme bénéficiera de subventions publiques, de quoi accélérer son développement pour répondre aux tensions d’approvisionnement mémoire dans les segments IA et HPC.

Esquissé pour la première fois en février, le projet ZAM s’est associé à SoftBank pour mettre au point une réponse à la crise de la mémoire. Le concept Z-Angle Memory vise haute densité, large bande passante et faible consommation. Dans le cadre du nouveau programme, ZAM s’appuiera sur un réseau de partenaires technologiques, industriels et logistiques au Japon et à l’international afin de soutenir son développement et une mise sur le marché à grande échelle.

« Intel a passé des années à prouver la validité scientifique de ZAM, des laboratoires nationaux du DOE à notre initiative Next Generation DRAM Bonding. Nous pensons que cette attribution place ce travail sur une voie rapide vers un déploiement mondial et renforce le type de partenariat technologique entre les États-Unis et le Japon qui comptera énormément dans les années à venir », déclare Makoto Ohno, président d’Intel K.K.

Sur le plan technique, Intel ZAM (Z-Angle Memory) vise une consommation inférieure de 40 à 50%, un design simplifié facilitant la fabrication et des densités pouvant atteindre 512 Go par puce. Chaque pile Z-Angle regroupera des circuits DRAM étroitement empilés, reliés par des interconnexions Z-Angle. Chaque pile sera connectée au die de calcul principal via l’EMIB, sous le die de base.

L’arrivée de ZAM marquera le retour d’Intel sur un produit mémoire, une première depuis plusieurs décennies. Aux débuts de l’entreprise, Intel pesait lourd dans l’industrie de la mémoire avant d’être progressivement éclipsé par des acteurs japonais. Ironie de l’histoire, des sociétés nippones contribuent aujourd’hui à rendre ZAM concret.