Elon Musk : seule SpaceX bat la machine de production chinoise, et la RAM est la prochaine
Elon Musk reconnaît la capacité de la Chine à produire en masse des semiconducteurs, mais émet des réserves sur sa maîtrise des architectures de mémoire les plus avancées. Ses propos, partagés sur le réseau X, interviennent alors que le pays vient d’annoncer une avancée surprenante dans le domaine de la mémoire DRAM.
La Chine en avance sur Samsung pour la mémoire DDR5, selon Musk
L’annonce récente de l’entreprise chinoise CXMT a surpris l’industrie : elle prévoit de lancer des puces DDR5 utilisant la technologie 4F² dès la fin de l’année. Samsung, un des leaders mondiaux, n’est attendu sur ce créneau qu’en 2028. La technologie 4F² représente un saut important en empilant verticalement les composants d’une cellule mémoire pour gagner en densité et en performances.
D’autres approches émergent, comme l’empilement 3D de différentes couches de mémoire, ou la solution de Qualcomm qui place un accélérateur d’IA sous la mémoire LPDDR pour obtenir un meilleur débit à moindre coût.
Interrogé sur la capacité de CXMT à produire ces puces en volume et à un prix compétitif, Elon Musk a répondu en prenant l’exemple des batteries lithium et des panneaux solaires. Il estime que la capacité de la Chine à industrialiser dépasse souvent celle du reste du monde réuni.
Il identifie toutefois une exception : son entreprise, SpaceX, qui parvient à surpasser la Chine en termes de tonnage mis en orbite, notamment via sa constellation Starlink.
En revenant sur les puces mémoire, Musk reste optimiste et suggère que la production de RAM pourrait être une autre anomalie. Il note cependant que les standards des mémoires LPDDR5 et LPDDR6 semblent être maîtrisés rapidement par la Chine.
Selon lui, le pays pourrait en revanche rencontrer plus de difficultés avec les architectures émergentes comme la mémoire HBM ou l’empilement 3D, jugés « plus complexes à résoudre ».
Sur le front de la DRAM 3D, l’équipementier chinois Naura a pourtant réalisé une percée significative cette année. Sur un empilement de 64 couches utilisant du silicium et du silicium-germanium, la firme a démontré un procédé en deux étapes améliorant des paramètres clés comme la sélectivité de gravure et le taux de perte.
