La mémoire ZAM d’Intel menace le trône IA de HBM avec 2x la bande passante de HBM4, plus de capacité et faibles contraintes thermiques
Intel peaufine sa mémoire Z-Angle Memory (ZAM) pour capter l’essor de l’IA et rivaliser avec la HBM comme option efficace. Cette technologie annonce une bande passante doublée par rapport à la HBM4, surpassant même la future HBM4E attendue en 2027. Des précisions techniques émergent avant une présentation au Symposium VLSI 2026.
La ZAM d’Intel défie la HBM en tant qu’innovation pour la mémoire haute bande passante et haute capacité, avec deux fois la vitesse de la HBM4
La mémoire Z-Angle, ou ZAM, suscite des débats dans le domaine des mémoires. Intel et SoftBank la développent pour remplacer la HBM par une solution peu énergivore et très dense.
De nouveaux éléments techniques révèlent des avancées sur cette mémoire. Elle délivrera deux fois la bande passante de la HBM4, au niveau de la HBM4E prévue pour l’an prochain. La ZAM vise une production entre 2028 et 2030.
Au Symposium VLSI 2026, Intel et la filiale SAIMEMORY de SoftBank dévoileront plus d’infos et ont teasé quelques caractéristiques. Ces données mettent en lumière plusieurs points que nous détaillons ci-après.
Concernant le design, la ZAM se présente en empilement de 9 couches. Un stack unique compte huit couches DRAM séparées par un substrat de silicium de 3 microns chacune. Le substrat principal intègre un contrôleur logique pour les neuf couches DRAM.
Trois couches TSV principales regroupent chacune 13,7 milliers de vias traversant le silicium avec liaison hybride. Chaque couche fournit 1,125 Go, pour 10 Go par stack et 30 Go par paquet complet. Le stack ZAM mesure 171 mm² (15,4 x 11,1 mm) et offre 0,25 Tb/s par mm², soit 5,3 TB/s par stack.
La HBM domine les accélérateurs IA haute performance et les GPU. Son évolution génère plus de chaleur et de consommation. La ZAM cible haute densité, large bande passante et faible énergie. Son architecture verticale facilite l’évacuation thermique sans traverser les couches de câblage.
Avantages clés de la ZAM :
- Densité de bande passante supérieure : environ 0,25 Tb/s/mm² (contre moins pour la HBM)
- Consommation réduite : optimisée pour les transferts de données
- Évacuation thermique efficace : l’architecture verticale gère mieux la chaleur (la HBM accumule de la chaleur via ses couches de câblage)
- Empilement ultra-élevé : 9+ couches avec 3 µm de Si par stack et TSV via-in-one
- Technos novatrices : E/S sans fil par couplage magnétique + liaison avancée pour l’évolutivité
- Adaptée à l’IA : surmonte les limites structurelles de la HBM pour les tâches génératives
La ZAM vise un design mémoire 3D dense via une technologie d’empaquetage 3,5D, intégrant couches verticales et horizontales sur un seul substrat : stack mémoire haute bande passante et volumineux, rails alimentation/masse, photonique sur silicium et E/S legacy. Nous attendons sa démonstration réelle pour juger de son potentiel face à la HBM, surtout avec la poussée actuelle du marché IA.
