Qualcomms HBC place le CPU sous la DRAM pour percer le mur mémoire de l’IA, avec 6x plus de bande passante par watt que le HBM
Qualcomm dévoile sa technologie HBC, une approche innovante pour libérer les performances des serveurs d’intelligence artificielle. Le fabricant propose un accélérateur mémoire empilé directement sous la DRAM, visant à dépasser les limites des solutions actuelles comme la HBM.
HBC de Qualcomm : un accélérateur mémoire pour briser les goulots d’étranglement
Lors de son Investors Day 2026, Qualcomm a présenté HBC, une architecture conçue pour offrir un gain majeur en capacité et en bande passante mémoire. Cette solution dite « near-memory » intègre le calcul et la mémoire dans une conception de puce 3D, avec l’ambition de résoudre les problèmes de bande passante qui freinent l’industrie.
La mémoire HBM est aujourd’hui la solution dominante pour les accélérateurs IA, mais elle devient moins efficace à mesure que la puissance et le coût par token augmentent, ce qui alourdit le coût total de possession.
Avec HBC, Qualcomm promet une consommation par token réduite, une bande passante mémoire accrue et un TCO inférieur. Cette architecture s’appuie sur quatre piliers : l’intégration 3D, la conception système, l’expertise LPDDR et l’efficacité énergétique.
Concrètement, l’accélérateur HBC se place sous une pile de mémoire LPDDR, choisie pour sa grande capacité. L’ensemble est relié par des TSV. Pour sa première génération, cette solution équipera la future puce AI250, où la pile mémoire boostée par HBC sera placée sur le même substrat organique 2D. Chaque accélérateur AI250 délivrera 133 To/s de bande passante par carte, soit 18 fois plus que l’AI200 avec de la LPDDR5X.
Comparativement, HBC promet une bande passante par watt six fois supérieure à la HBM, et une capacité par watt 200 fois plus élevée que la SRAM. Qualcomm collaborera avec ses partenaires pour s’attaquer aux principaux freins de l’IA : la capacité mémoire, la bande passante et le coût total.
La première solution HBC Gen1 avec les accélérateurs AI250 devrait arriver mi-2027. Qualcomm planche déjà sur la seconde génération, HBC Gen2, prévue pour 2028. Elle sera associée à l’accélérateur AI300 et offrira jusqu’à 54 fois plus de bande passante efficace que l’AI200, et un gain de 7x en bande passante par watt face à la HBM.
