Samsung HBM3E Shinebolt : mémoire à large bande passante pour accélérateurs et processeurs HPC

Samsung dévoile Shinebolt : la mémoire HBM3E de nouvelle génération destinée aux accélérateurs d’intelligence artificielle et aux processeurs du segment HPC. À la base de Samsung Shinebolt se trouve un nouveau die de mémoire HBM de 24 Gbit produit grâce au processus D1a, soit la quatrième génération de son processus EUV en 10 nanomètres.

La société sud-coréenne produira le nouveau die HBME3 en stack 8Hi, voire même 12Hi, offrant respectivement 24 et 36 Go de capacité totale par stack, soit 50% de plus que les solutions HBM3 Icebolt précédentes.

En termes de performances, avec une vitesse de pointe de 9,8 Gbps par broche, Shinebolt devrait offrir plus de 50% de performances supplémentaires par rapport à la HBM3. Cette valeur est supérieure aux 9 Gbps par broche indiqués par SK hynix pour leur solution et aux 9,2 Gbps par broche de la HBM3 Gen 2 de Micron. Par conséquent, Samsung Shinebolt devrait offrir une bande passante maximale de 1,225 To/s, une amélioration significative par rapport aux 819 Go/s de la HBM3.

En ce qui concerne la consommation, Samsung affirme que Shinebolt est 10% plus efficace que la génération HBM3 Icebolt à fréquence égale. Cependant, étant donné que la fréquence est plus élevée, il est clair que la HBM3E consommera davantage, bien que cette avancée empêche une explosion de la demande énergétique.

La mémoire HBME3 Shinebolt de Samsung sera disponible à partir de la fin de 2024, tandis que la phase d’échantillonnage vient de commencer. Pendant cette période, la société sud-coréenne continuera de promouvoir la HBM3, Icebolt étant récemment passé en production de masse. Samsung a également annoncé qu’elle travaille sur la HBM4 avec pour objectif de la finaliser d’ici 2025.

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