Samsung dépasse les 1000 couches de NAND avec un prototype V-NAND 900 couches empilant deux cellules de 450 couches
Samsung franchit une étape décisive dans la course aux mémoires flash. Son prototype de V-NAND 900 couches annonce une augmentation massive des capacités de stockage. Cette innovation prépare le terrain pour la mémoire 1000 couches, un objectif stratégique pour le géant sud-coréen.
Un prototype ambitieux pour une technologie de rupture
Samsung est un pionnier dans le domaine des semi-conducteurs mémoire. Sa technologie V-NAND est considérée parmi les meilleures du marché. L’entreprise avait déjà annoncé son intention de développer une mémoire NAND à 1000 couches en 2024, avec l’utilisation de nouveaux matériaux ferroélectriques.
Selon ETNews, Samsung a réalisé son premier prototype de V-NAND à 900 couches grâce à la technologie CMB (Cell Multi-Bonding). Cette méthode consiste à assembler deux stacks de cellules de 450 couches pour former un seul dispositif. Avec 900 couches de V-NAND, Samsung pourra augmenter considérablement la capacité des solutions de stockage, comme les SSD, utilisées dans tous les segments informatiques : serveurs, PC fixes, portables, smartphones, et plus encore.
Selon l’industrie des semi-conducteurs le 25, Samsung Electronics a récemment mis en œuvre un système intégré de V-NAND de classe 900 couches en utilisant la technologie « Cell Multi-Bonding (CMB) », qui fusionne deux wafers de cellules de 450 couches en un seul.
ETNews
Pour atteindre ce nombre impressionnant de 900 couches, Samsung a dû surmonter plusieurs obstacles, notamment la déformation des wafers. Ce problème a été résolu avec l’introduction d’un nouveau design de mandrin supérieur. Des erreurs d’alignement ont également été corrigées grâce à des technologies de « correction de superposition ».
Actuellement, SK Hynix mène la course, ayant été la première à développer et proposer une technologie NAND à 321 couches. Les travaux sont déjà en cours sur la NAND à 400 couches, qui sera réalisée via un Bonding Vertical chez Samsung et un Bonding Hybride chez SK Hynix.
Parallèlement, la chinoise YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) accélère également ses plans NAND. La société propose déjà des dispositifs à 294 et 232 couches et réduit l’écart avec les entreprises offshore comme Samsung, SK Hynix et Micron. YMTC investit aussi massivement dans nouvelles fabriques, destinées à doubler sa capacité de production de wafers à un moment crucial où les marchés font face à un important déficit d’offre lié à l’hypercycle de l’IA.
L’approche NAND empilée pour atteindre 900+ couches est encore au stade du prototype, mais elle trace la voie pour l’expansion future du stockage. Le V-NAND à 1000 couches vise une sortie en 2030, tandis que les mémoires à plus de 400 couches arriveront dans les années à venir.
