Samsung dépasse la barrière des 10 nm en DRAM avec une cellule 4F, jusqu’à 50 % de densité en plus

Samsung franchit un nouveau palier en mémoire vive : le géant sud-coréen aurait fabriqué la première puce DRAM “single‑digit” nanomètre réellement autonome. Ce cap s’appuie sur une cellule 4F au format carré et sur un transistor à canal vertical, avec à la clé davantage de densité et une meilleure efficience énergétique. Le développement technique serait bouclé cette année, avant une montée en cadence industrielle ultérieure.

La nouvelle DRAM sous 10 nm de Samsung gagne en densité et introduit de nouveaux matériaux

Samsung aurait mis au point le premier module DRAM « standalone » basé sur une gravure inférieure à 10 nm.

Samsung Electronics a produit le premier die DRAM fonctionnel au monde gravé à un chiffre nanométrique. L’entreprise prévoirait d’accélérer la montée en rendement en ajustant les conditions de procédé à partir de ce die fonctionnel.

Selon des sources industrielles datées du 24, Samsung Electronics aurait validé un die opérationnel lors de l’inspection des caractéristiques après la fabrication de tranches en procédé 10a le mois dernier. C’est la première mise en œuvre conjointe de la cellule carrée 4F et du procédé VCT (Vertical Channel Transistor).

via The ELEC

Jusqu’ici, la DRAM reposait sur la famille dite « 10 nm » (1x, 1y, 1a, 1b, 1c, 1d). Le nœud 10a de Samsung descendrait à environ 9,5–9,7 nm, devenant la première technologie de gravure réellement sous les 10 nm pour la DRAM. Le cœur de l’évolution réside dans la « cellule carrée 4F » et l’adoption d’un transistor à canal vertical (VCT).

Samsung viserait une finalisation du développement 10a cette année, avec une production de masse programmée pour 2028. Cette architecture ferait ses débuts sur 10a avant des optimisations sur 10b puis 10c. La génération 10d basculerait vers une DRAM 3D, avec une fenêtre de commercialisation évoquée pour 2029–2030.

Aujourd’hui, la plupart des produits DRAM utilisent une structure 6F, de forme rectangulaire (3F x 2F). En 4F, la cellule adopte un format plus carré (2F x 2F). Rien qu’avec cette évolution, la densité par circuit intégré progresserait d’environ 30 à 50%, de quoi hausser les capacités tout en réduisant la consommation.

La nouvelle DRAM s’appuierait aussi sur des matériaux inédits comme l’oxyde d’indium-gallium-zinc (IGZO), en lieu et place du silicium traditionnel. L’IGZO limite les fuites dans des cellules plus étroites, favorisant la rétention des données.

Côté concurrence, Micron mettrait en pause ses plans 4F pour se concentrer directement sur la DRAM 3D.

De leur côté, les fabricants chinois, privés d’outils de lithographie avancés, pourraient rencontrer des obstacles pour produire de la DRAM 3D. Si l’architecture se rapproche de celle de la NAND 3D, elle laisserait toutefois une marge de manœuvre. Les travaux s’accélèrent chez plusieurs acteurs afin de répondre à la demande croissante portée par l’IA.