TSMC choisit de ne pas intégrer la lithographie High-NA EUV pour son procédé A14. Alors que le constructeur taïwanais a longtemps été un pionnier dans l’adoption des technologies avancées en semi-conducteurs, il opte ici pour une approche plus conservatrice. Le géant optera pour la lithographie EUV conventionnelle 0.33-NA, abandonnant temporairement le High-NA pour ce nœud prévu à partir de 2028.
Les raisons du choix de TSMC et ses conséquences
Une des principales raisons évoquées lors du symposium NA Technology par le SVP Kevin Zhang est l’augmentation significative des coûts liés à la lithographie High-NA. Son utilisation pourrait engendrer jusqu’à 2,5 fois plus de dépenses par rapport aux méthodes EUV classiques, ce qui rendrait la production du procédé A14 beaucoup plus onéreuse et moins compétitive pour le marché grand public.

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Dans son explication, Kevin Zhang souligne que TSMC cherche à limiter l’augmentation du nombre de masques à chaque génération, ce qui est essentiel pour offrir des solutions économiquement viables. Le procédé A14 nécessiterait plusieurs masques par couche chip, et exploiter les outils High-NA augmenterait les coûts sans bénéfice notable comparé à la lithographie 0.33-NA.
Le constructeur se concentre plutôt sur des techniques de multi-patinage, qui permettent de conserver la complexité de conception sans recourir à la précision extrême du High-NA, maintenant ainsi les coûts de production à un niveau plus bas.
Un retard technologique par rapport à certains concurrents
Cette décision place TSMC derrière certains acteurs comme Intel Foundry, qui prévoit d’utiliser la lithographie High-NA pour son procédé 18A dès l’an prochain. Avec le lancement de l’A14P fixé à 2029, TSMC prendra un retard d’environ quatre ans dans l’adoption de cette technologie avancée.
Ce choix stratégique, fondé sur un équilibre entre coût et performance, pourrait offrir un avantage compétitif à ses rivaux, malgré la solide maîtrise de TSMC dans la conception et la fabrication des puces. L’entreprise envisage toutefois d’intégrer la lithographie High-NA pour ses procédés futurs, notamment l’A14P, marquant une utilisation différée mais certaine.



