SK Hynix dévoile ses premiers exemplaires HBM4 : 36 Go et 2 To/s de bande passante
SK Hynix vient d’annoncer ses prochaines mémoires HBM3e 12-Hi et SOCAMM, tout en présentant des exemplaires des premiers HBM4 12-Hi au niveau mondial.
SK Hynix Lève le Voile sur son HBM4 de Nouvelle Génération et la Mémoire SOCAMM
SK Hynix avance rapidement dans la conception de mémoires innovantes pour du hardware informatique de pointe, y compris des GPU hautes performances pour les centres de données. L’annonce de la présentation de ses mémoires 12-Hi HBM3E et SOCAMM se fera lors de l’événement GTC 2025, qui se tient actuellement du 17 au 21 mars à San José, en Californie.
En se positionnant comme un concurrent sérieux de Samsung et Micron, SK Hynix a conçu la mémoire SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) pour les puissants chipsets AI de NVIDIA. Cette mémoire repose sur la populaire technologie CAMM tout en étant optimisée pour une faible consommation énergétique.
La mémoire SOCAMM de SK Hynix va considérablement accroître la capacité de mémoire, améliorant ainsi les performances des applications en intelligence artificielle tout en restant économe en énergie. En plus de SOCAMM, le constructeur présentera également sa mémoire 12-High HBM3E, utilisée par NVIDIA pour la fabrication des derniers GPU Blackwell GB300. SK Hynix a signé un accord exclusif avec NVIDIA concernant ce chipset AI, consolidant ainsi sa position sur le marché.
SK Hynix avait déjà commencé la production de masse de HBM3E 12-Hi en septembre de l’année dernière, tandis que Samsung devrait attendre plusieurs mois pour rattraper son retard. Les dirigeants de SK Hynix, y compris le PDG Kwak Noh-Jung, présenteront leurs produits lors de l’événement GTC.
Les exemplaires ont été livrés avant les délais grâce à l’avance technologique et l’expérience de production de SK Hynix, qui dominent le marché de HBM. L’entreprise prévoit de commencer le processus de certification pour ses clients. SK Hynix vise à achever la préparation pour la production de masse des produits HBM4 12 couches dans la seconde moitié de l’année, renforçant ainsi sa position sur le marché de la mémoire AI.
Les exemplaires de HBM4 12 couches offrent la meilleure capacité et rapidité de l’industrie, essentielles pour les produits de mémoire AI.
Ce produit présente une bande passante capable de traiter plus de 2 To (téraoctets) de données par seconde. Cela indique traiter l’équivalent de plus de 400 films en full-HD par seconde, soit plus de 60 % plus rapide que la précédente génération, HBM3E.
SK Hynix a également introduit le processus avancé MR-MUF pour atteindre une capacité de 36 Go, ce qui est le plus élevé parmi les produits HBM 12 couches. Ce procédé aide à prévenir la déformation des puces tout en maximisant la stabilité du produit grâce à un meilleur dissipation thermique.
En conclusion, SK Hynix présentera prochainement son HBM4 12-Hi en développement, échantillonné à des clients clés tels que NVIDIA pour sa gamme de GPU Rubin. Cette nouvelle mémoire HBM4 promet jusqu’à 36 Go de capacité par empilement et des débits allant jusqu’à 2 To/s.
La production de masse de la mémoire HBM4 12-Hi est prévue pour la seconde moitié de 2025, en utilisant le procédé 3 nm de TSMC.
