SK Hynix dévoile la première mémoire HBM4 avec 16 couches et 2,0 To/s de bande passante
SK hynix a récemment présenté sa technologie HBM4 lors du symposium technologique nord-américain de TSMC, révélant plusieurs nouveautés dans le domaine des mémoires. Cette avancée positionne l’entreprise en tête du marché des constructeurs de mémoire HBM, devançant ses concurrents encore en phase d’échantillonnage, tels que Micron et Samsung.
Une avancée majeure avec la mémoire HBM4 et HBM3E
La technologie HBM4 de SK hynix offre une capacité pouvant atteindre 48 Go, une bande passante de 2,0 To/s et une vitesse d’E/S à 8,0 Gbps. La production de masse est prévue pour le second semestre 2025, ce qui indique que les premiers produits intégrant ce processus pourraient apparaître dès la fin de l’année. Il s’agit de la seule société à avoir dévoilé publiquement cette technologie.
En parallèle, SK hynix a également dévoilé une version 16 couches de sa mémoire HBM3E, première du genre. Cette mémoire propose une bande passante de 1,2 To/s et sera intégrée dans les clusters IA « Blackwell Ultra » de NVIDIA. SK hynix a utilisé des technologies avancées telles que MR-MUF et TSV pour connecter ces couches, confirmant son rôle de pionnier dans ce domaine.
Des modules mémoire performants pour serveurs et centres de données
Au-delà des mémoires HBM, SK hynix a présenté sa gamme de modules mémoire serveurs, notamment les RDIMM et MRDIMM. Ces modules à haute performance reposent sur la nouvelle norme DRAM 1c, permettant d’atteindre des vitesses impressionnantes pouvant monter jusqu’à 12 500 Mo/s.
La société met en avant plusieurs modules construits pour optimiser les performances en intelligence artificielle et dans les data centers, tout en réduisant la consommation électrique. Parmi ces produits, on trouve des MRDIMM à 12,8 Gbps avec des capacités de 64 Go, 96 Go et 256 Go, ainsi que des RDIMM à 8 Gbps disponibles en versions 64 Go et 96 Go, sans oublier un RDIMM 3DS de 256 Go.
« Nous avons développé une série de modules pour améliorer les performances IA et data center tout en réduisant la consommation d’énergie », explique SK hynix.
Grâce à ces innovations et à des partenariats stratégiques, notamment avec NVIDIA, SK hynix confirme sa position de leader face à des concurrents historiques comme Samsung dans les secteurs HBM et DRAM.
