SK Hynix devance Samsung en lançant en premier sa mémoire flash NAND TLC 321 couches
SK Hynix a marqué un tournant dans l’industrie des puces mémoire en devenant le premier à produire en masse des NAND à trois niveaux avec 321 couches. Cette innovation promet d’accroître la densité de stockage et de rendre les SSD plus accessibles, ouvrant la voie à des applications variées, notamment dans les centres de données AI.
SK Hynix a récemment lancé ses nouvelles puces NAND 4D de 1 térabit, établissant un nouveau record. L’entreprise est en pleine progression, ayant également été la première à introduire son NAND à 238 couches il y a moins d’un an. Comme pour le lancement précédent, cette avancée à 321 couches est significative, puisqu’elle pourrait considérablement augmenter la densité de stockage pour les SSD, tant pour les consommateurs que pour les entreprises.
Ces puces densément compactées pourraient offrir des SSD plus abordables avec des capacités dépassant les 100 To. Cette nouvelle génération de NAND sera particulièrement utile pour les centres de données AI, bien que d’autres applications gourmandes en performances et requérant un stockage économe en énergie en bénéficieront également.
SK Hynix a utilisé des optimisations de processus ingénieuses pour intégrer plus de 300 couches dans une seule puce NAND. La nouvelle technologie « Three Plugs » de l’entreprise connecte simultanément trois canaux verticaux de mémoire grâce à un processus de liaison électrique optimisé. Ce procédé est reconnu pour son excellente efficacité de fabrication et utilise des matériaux à faible contrainte avec correction automatique de l’alignement.
Toutefois, relier toutes ces couches a engendré des problèmes de stress et d’alignement que SK Hynix a dû surmonter. L’entreprise a réussi à résoudre ce défi en développant de nouveaux matériaux à faible contrainte et une correction automatique de l’alignement pour maintenir l’ordre durant la fabrication.
Le nouveau processus a également augmenté l’efficacité de production de 59 % par rapport à la génération précédente en réutilisant la même plate-forme que celle du NAND à 238 couches. Ces améliorations en matière d’efficacité se traduisent par de meilleures performances et des coûts réduits sur le marché. L’entreprise affirme que les nouvelles puces à 321 couches offrent des transferts de données 12 % plus rapides, une lecture 13 % plus rapide, et une efficacité énergétique améliorée de plus de 10 % par rapport aux NAND à 238 couches.
SK Hynix prévoit d’expédier ces nouveaux dispositifs de stockage à ses clients dans la première moitié de 2025. Le marché de l’IA est l’objectif initial, mais des SSD à ultra-haute capacité pour les configurations de jeux, le montage vidéo et l’accumulation de données devraient suivre peu après.
Samsung ne compte pas rester les bras croisés face à cette nouvelle. Le géant technologique travaille déjà sur un NAND à 400 couches prévu pour 2026. Il espère avoir sa technologie de NAND vertical lié prête d’ici 2030, facilitant des puces encore plus denses avec plus de 1 000 couches et des SSD potentiellement supérieurs à 200 To. Le japonais Kioxia a des plans similaires.
