SK Hynix augmente sa production de DRAM à 6 couches EUV, un défi pour Samsung

SK hynix prépare une avancée majeure avec le DRAM 1c, qui promet d’améliorer les performances des produits DDR5 et HBM, plaçant ainsi l’entreprise en tête de ce marché.

SK Hynix et l’EUV pour le DRAM de Nouvelle Génération

Il semble que SK hynix prenne très au sérieux les récentes initiatives de Samsung concernant le DRAM 1c. La société coréenne pourrait être la première à adopter la technologie avec six couches EUV, établissant de nouveaux standards sur le marché. Cette étape est censée améliorer les solutions grand public et HBM, en les propulsant vers une nouvelle génération de technologies DRAM.

Pour ceux qui ne le savent pas, l’adoption de l’EUV est un processus délicat, en raison de sa longueur d’onde de 13,5 nm, qui cible les circuits complexes afin d’imprimer des caractéristiques plus fines avec moins d’étapes de multi-patronage. Historiquement, le DRAM avait un mélange de couches EUV et DUV, mais SK hynix envisage maintenant de passer entièrement aux six couches EUV pour le DRAM 1c. Cela devrait permettre de lancer des produits avec des rendements plus élevés et des performances optimisées.

Actuellement, le DRAM 1c n’est pas encore intégré à des solutions de mémoire conventionnelle. Cependant, SK hynix explore des pistes et il est probable que nous voyions bientôt des DDR5 avec des capacités plus élevées. L’engagement pour l’EUV représente une stratégie à long terme de la part du constructeur, particulièrement pour des produits de nouvelle génération comme le DRAM 1d et 0a.

L’intégration de l’EUV permet à SK hynix de produire des DDR5 plus denses, rapides et économes en énergie, tout en améliorant le taux de rendement. Avec l’arrivée prévue du DRAM 1c dans le HBM4, des améliorations significatives en matière de performances sont à anticiper à l’avenir.