SK Hynix améliore ses rendements avec la technologie DRAM 1c, cap vers la production en volume
SK hynix a récemment atteint des rendements exceptionnels avec ses modules DRAM 1c, consolidant ainsi sa position de leader sur le marché.
SK Hynix Renoue Avec Le Succès Dans Le Secteur De La DRAM Grâce À Sa Nouvelle Technologie 1c
La concurrence pour les modules de mémoire HBM devient de plus en plus rude, et SK hynix semble avoir un avantage sur ses rivaux. Ce secteur se concentre sur le développement de modules de mémoire HBM4, ce qui est prévu pour améliorer considérablement les capacités de calcul. Selon le média coréen Hankooki, SK hynix a considérablement amélioré ses rendements en 1c DRAM, ce qui lui permet de devancer à la fois le marché de la mémoire grand public et celui des HBM.
Actuellement, le DRAM de 6ème génération en 10 nm atteint des taux de rendement de 80 à 90 %, une amélioration significative par rapport aux 60 % annoncés au second semestre 2024. Bien que l’entreprise se concentre principalement sur la production d’HBM4 pour le moment, il est peu probable que des solutions DDR5 basées sur la technologie 1c se retrouvent sur le marché très bientôt. Néanmoins, on anticipait la mise en œuvre de la technologie DRAM avec HBM4, vraisemblablement un HBM4E amélioré.
Suite à cette avancée, il est clair que SK hynix a surpassé Samsung en termes de supériorité technologique dans le domaine de la DRAM. Bien que Samsung développe également ses modules DRAM 1c depuis un certain temps, l’entreprise peine à maintenir son rythme, avec des rapports récents sur des révisions nécessaires pour améliorer les taux de rendement. SK hynix est maintenant en position de commencer la production de masse d’HBM4, prenant une longueur d’avance sur ses concurrents, et l’écart semble se creuser.
