Samsung se prépare à produire en masse la mémoire HBM4 en 2026 : 24Gb GDDR7 et des produits DDR5 de 128 Go+
Samsung prévoit de lancer la production de sa prochaine génération de mémoire HBM4, de DRAM 24 Gb GDDR7 et de produits de 128 Go et plus d’ici 2026.
Augmentation des revenus de Samsung et nouvelles mémoires pour 2026
Dans son rapport de résultats du T3 2025, Samsung révèle une augmentation de 15,4 % de ses revenus, atteignant 86,1 trillions de KRW. Cette performance est attribuée à la forte demande pour sa mémoire HBM3E et ses SSD pour serveurs, stimulées par la montée de l’IA.
Samsung vient de présenter sa solution de mémoire HBM4, offrant des vitesses allant jusqu’à 11 Gbps par puce. Cette avancée pourrait bénéficier aux futurs accélérateurs d’IA d’NVIDIA et d’AMD. Des exemplaires ont été envoyés aux constructeurs de puces IA pour des tests supplémentaires.
Production en masse et nouveaux produits
En plus de l’HBM4, Samsung projette de fournir une offre stable au niveau de la production 2 nm GAA (Gate-All-Around) en 2026. Ce processus sera essentiel pour les SoC Exynos de nouvelle génération et les SoC Snapdragon de Qualcomm.
Pour le T4 2025, Samsung prévoit d’augmenter la production de HBM3E et d’autres mémoires avancées pour répondre à la demande croissante des serveurs classiques et AI.
Les produits de mémoire DDR5 de 128 Go et de DRAM GDDR7 de 24 Gb figureront parmi les priorités de Samsung en 2026, en réponse aux lancements prévus des serveurs AMD et Intel dans la seconde moitié de l’année.
La GDDR7 séduira les consommateurs haut de gamme. Le GPU Rubin CPX d’NVIDIA en est un exemple, tout comme les futurs modèles de gaming utilisant cette technologie. Cependant, la demande actuelle pour la DRAM et les SSD se concentre sur le marché de l’IA, entraînant une hausse des prix des produits destinés aux consommateurs.
