Samsung : sa mémoire HBM4E 12-Hi qualifiée par NVIDIA dope l’offre GPU IA
Samsung franchit une étape cruciale dans la course à la mémoire HBM. Selon un rapport sud-coréen, son nouveau module 12 couches HBM4E aurait réussi les tests de qualification chez NVIDIA et d’autres grands acteurs du cloud.
Une qualification qui ouvre la voie à la production
D’après le journal Hankyung, la division mémoire de Samsung a achevé les tests de qualification de sa HBM4E 12-Hi auprès de NVIDIA et d’autres clients majeurs du secteur des data centers fin septembre. Cette phase est essentielle avant tout déploiement commercial, car les clients vérifient que le matériel correspond à leurs exigences en termes de performances, de fiabilité et de gestion thermique.
Une nuance importante s’impose cependant : le rapport indique uniquement que Samsung a satisfait aux tests de qualification. Les volumes d’approvisionnement, la valeur des contrats et les calendriers de livraison pour la production de masse ne sont pas encore connus. Samsung a refusé de confirmer l’information, déclarant au journal ne pas être en mesure de vérifier si cette qualification était terminée.
Samsung avait commencé à expédier des exemplaires de sa HBM4E 12 couches en mai dernier. Cette puce offre 48 Go de capacité par pile, fonctionne de manière stable à 14 Gbps par broche avec une marge de montée jusqu’à 16 Gbps, délivrant ainsi une bande passante pouvant atteindre 3,6 To/s. Samsung affirme que cela représente une augmentation de performance de plus de 20% par rapport à sa génération HBM4.
Techniquement, la HBM4E combine la DRAM de sixième génération en classe 10nm 1c de Samsung avec une die logique de base en 4nm produite par Samsung Foundry. Le fondeur précise également que la puce apporte des améliorations en matière d’efficacité énergétique et de thermique, deux paramètres devenus primordiaux avec l’augmentation constante des besoins en bande passante et en puissance des accélérateurs d’IA.
| Génération | Ère commerciale | Largeur I/O par pile | Vitesse de broche max | Bande passante max par pile | Capacité max / typique par pile | Hauteur de pile typique |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM1 | 2015 | 1 024 bits | ~1,0–1,6 Gbps | ~128–205 Go/s | ~1 Go | 4-Hi |
| HBM2 | 2016–2018 | 1 024 bits | jusqu’à 2,4 Gbps | jusqu’à 307 Go/s | 8 Go | jusqu’à 8-Hi |
| HBM2E | 2020 | 1 024 bits | 3,2–3,6 Gbps commercial ; jusqu’à 4,2 Gbps testé par Samsung | ~410–460 Go/s ; jusqu’à 538 Go/s démontré | 16 Go | 8-Hi |
| HBM3 | 2022 | 1 024 bits | jusqu’à 6,4 Gbps | 819 Go/s | 24 Go | jusqu’à 12-Hi |
| HBM3E | 2024 | 1 024 bits | ~9,2–9,8 Gbps | ~1,18–1,28 To/s | 36 Go | jusqu’à 12-Hi |
| HBM4 | 2025–2026 | 2 048 bits | JEDEC : 8 Gbps ; produits jusqu’à 11,7 Gbps, extensible à 13 Gbps | JEDEC ~2 To/s ; Samsung jusqu’à 3,3 To/s | 36 Go aujourd’hui ; 48 Go avec 16-Hi | 8/12/16-Hi |
| HBM4E | 2026 et après | 2 048 bits | 14 Gbps, extensible à 16 Gbps | ~3,6 To/s à 14 Gbps ; ~4,0 To/s à 16 Gbps | 48 Go 12-Hi, jusqu’à 64 Go 16-Hi prévu | 8/12/16-Hi |
Samsung avance rapidement pour consolider sa position face à SK Hynix et Micron sur le marché de la HBM. La société a démarré la production en masse de l’HBM4 plus tôt cette année, cette mémoire étant conçue pour la plateforme Vera Rubin de NVIDIA, avant d’enchaîner rapidement avec les exemplaires HBM4E.
Si la qualification chez NVIDIA est avérée, Samsung a franchi un jalon technique majeur. La question suivante sera de savoir si cela se concrétisera par des commandes importantes une fois que NVIDIA et ses clients commenceront à monter en puissance sur leurs futurs accélérateurs d’IA.
