Samsung présente sa mémoire GDDR7 24 Go à 42,5 Gbps lors de l’ISSCC 2025
La mémoire GDDR7 de Samsung, avec une vitesse impressionnante de 42,5 Gbps, marque une avancée significative dans le domaine des technologies de mémoire. Bien qu’il ne soit pas encore certain que cette nouvelle technologie se retrouve sur les cartes graphiques, son développement soulève d’importantes questions quant à l’avenir des performances graphiques.
Présentation de la mémoire GDDR7 au ISSCC
Le workshop ISSCC, se déroulant à San Francisco du 16 au 20 février, sera l’occasion pour les constructeurs de semi-conducteurs de présenter leurs innovations majeures. Le 19 février, un événement sera spécifiquement consacré aux mémoires non volatiles et DRAM, accessible au public via le site officiel.
Au cours de cette présentation, Samsung mettra en avant son module DRAM GDDR7, conçu pour offrir une performance de pointe. Avec une capacité de 24 Gb ou 3 Go, cette mémoire promet non seulement une efficacité accrue, mais aussi une consommation énergétique optimisée par rapport à la génération précédente, la GDDR6.
Malgré sa capacité technique impressionnante, la vitesse de 42,5 Gbps semble encore peu adaptée aux premières générations de cartes graphiques. Les spéculations vont bon train quant à son intégration éventuelle dans les futures cartes de la série RTX 6000 de NVIDIA. Pour l’instant, les GPU de la série Blackwell RTX 5000 seront équipés de modules de 28 Gbps.
Une telle vitesse constitue déjà un bond en avant par rapport aux 24 Gbps de la GDDR6 que l’on retrouve sur des modèles haut de gamme comme la RTX 4090. En effet, le GDDR7 fait environ 77 % de progrès par rapport à cette vitesse, ce qui soulève l’enthousiasme autour des nouvelles technologies.
Les cartes graphiques haut de gamme comme la RTX 4090 et les modèles d’AMD, tels que les RX 7900 XTX et XT, n’ont pourtant pas atteint ces vitesses de 24 Gbps. Pour l’heure, elles présentent des vitesses de 20 Gbps et 21 Gbps, respectivement. Ainsi, l’intégration de la GDDR7 à 42,5 Gbps dans les cartes futures ne semble pas garantie.
Pour mettre en perspective cette avancée, il est prévu que le GPU phare RTX 5090 de NVIDIA utilise des mémoires de 28 Gbps. L’évolution pourrait facilement le porter à plus de 30 Gbps, tout comme ce fut le cas pour les modules GDDR6. Ce modèle pourrait offrir jusqu’à 32 Go de GDDR7 sur un bus de mémoire de 512 bits.
Événements à venir et innovations dans le secteur
Ces évolutions témoignent d’une bande passante mémoire impressionnante pouvant atteindre entre 1,7 et 2,0 To/s. Ce chiffre est déjà supérieur de 1,7 à 2 fois à ce que propose la RTX 4090. Si l’on considère une éventuelle vitesse de 42,5 Gbps, la bande passante pourrait frôler les 2,5 To/s, représentativement savoureuse pour les performances graphiques.
En plus de la présentation par Samsung, la journée dédiée à la mémoire et DRAM de l’ISSCC accueillera également SK Hynix, qui dévoilera son 321 couches 4D NAND, un produit récemment entré en production à grande échelle. Cela indique un environnement dynamique et innovant au sein de l’industrie des semi-conducteurs.
