Samsung présente la mémoire HBM4E : jusqu’à 4 To/s de bande passante par pile, 16 Gbps et 48 Go
Lors de GTC 2026, Samsung a présenté sa nouvelle mémoire HBM4E ainsi que ses SSD PCIe Gen6 et sa RAM SOCAMM2 destinés aux plateformes AI actuelles et futures de NVIDIA.
Samsung HBM4E : Performances pour la Plateforme Rubin Ultra de NVIDIA
La mémoire HBM4E de Samsung, récemment dévoilée, atteint des vitesses impressionnantes de 16 Gbps pour les entrées/sorties, permettant jusqu’à 4 To/s de bande passante par empilement, avec une capacité de 48 Go. Ce produit est conçu spécifiquement pour la plateforme Rubin Ultra de NVIDIA, qui devrait doubler les performances par rapport à la génération actuelle.
Avec l’utilisation d’empilements 16-Hi, Rubin Ultra pourrait offrir jusqu’à 384 Go de HBM4E et 64 To/s de bande passante, représentant une avancée majeure par rapport à la génération précédente, qui ne proposait que 288 Go de HBM4 avec 22 To/s.
D’après l’annonce de Samsung, leur HBM4E est en production de masse, propulsant le développement d’applications AI avec une vitesse de traitement atteignant 11,7 Gbps, dépassant largement la norme industrielle actuelle.
Une Alliance pour Élever l’Intelligence Artificielle
Le partenariat entre Samsung et NVIDIA sera mis en avant au sein d’un espace dédié, présentant des innovations comme l’HBM4, la SOCAMM2 et le SSD PM1763, toutes conçues pour l’infrastructure AI de NVIDIA.
La SOCAMM2, à faible consommation d’énergie, se positionne comme un module mémoire optimisé pour les serveurs AI. En étant en production de masse, ce produit représente une première dans l’industrie.
Le SSD PM1763, équipé de l’interface PCIe 6.0, promet des transferts de données rapides et une grande capacité. Sa performance sera mise en avant sur des serveurs utilisant le modèle de programmation SCADA de NVIDIA.
Mémoire Efficace pour l’Intelligence Locale
Les solutions de mémoire de Samsung favorisent l’efficacité pour les charge de travail AI locales sur des appareils personnels. Leurs modules, comme le PM9E3 et le PM9E1, sont adaptés pour des superordinateurs AI personnels.
De plus, Samsung mettra en lumière ses solutions DRAM LPDDR5X et LPDDR6, idéales pour une intégration fluide dans des dispositifs mobiles haut de gamme, offrant une bande passante supérieure avec une consommation d’énergie réduite. LPDDR5X atteint 25 Gbps par broche, tandis que LPDDR6 vise une bande passante scalable de 30 à 35 Gbps.
