Samsung prépare un V-NAND 400 couches pour des SSD de 16 To et des performances PCIe 5.0 !
Samsung, fort de ses avancées en technologie V-NAND, mise sur le développement de mémoires flash à 400 couches, promettant des performances révolutionnaires. Alors que la concurrence s’intensifie avec l’essor des applications IA, l’entreprise vise un lancement en production de masse d’ici l’année prochaine.
Pourquoi c’est important : La technologie V-NAND de Samsung a connu des avancées significatives, passant de 24 couches à près de 300 en un peu plus d’une décennie. Bien que l’entreprise ait rencontré des défis majeurs pour un dimensionnement supplémentaire, elle reste confiante de pouvoir intégrer au moins 400 couches de cellules mémoire flash dans des puces NAND. Si tout se déroule comme prévu, la production de masse pourrait débuter d’ici la fin de l’année prochaine.
La mémoire flash V-NAND de 9ème génération à 280 couches de Samsung vient tout juste de commencer sa production de masse, les premiers produits commerciaux étant attendus sur les étagères l’année prochaine. Cependant, selon le Korea Economic Daily, l’entreprise fixe déjà des objectifs ambitieux pour sa technologie V-NAND de 10ème génération à 400 couches.
La concurrence dans le domaine s’est intensifiée ces dernières années, en grande partie en raison des demandes croissantes des applications IA, ainsi que d’un appétit consumériste grandissant pour un stockage flash plus volumineux et plus abordable.
À l’heure actuelle, Samsung détient une part de marché de 37%, mais maintenir cette position devient de plus en plus difficile alors que des concurrents comme Micron, YMTC, SK Hynix, et Kioxia accélèrent leur développement de NAND 3D à plus haute densité.
SK Hynix prévoit de commencer la fabrication de NAND à 400 couches d’ici la fin de 2025, avec une production à grande échelle attendue au premier semestre 2026. Cela a poussé Samsung à cibler le même calendrier, son petit rival coréen ayant gagné une part de marché significative au cours des deux dernières années.
Empiler 400 couches ou plus de NAND n’est pas une tâche facile, car le dimensionnement au-delà de 300 couches a déjà posé des défis à la fiabilité des premiers prototypes. Pour remédier à cela, Samsung prévoit d’employer une architecture à Tri-Level Cell (TLC) en plus d’une nouvelle technologie nommée Bonding Vertical NAND (BV NAND), qui sépare les cellules mémoire et la circuiterie périphérique sur des plaquettes différentes, qui sont ensuite assemblées dans une structure verticale.
Cette approche aidera également Samsung à atteindre des rendements de fabrication plus élevés par rapport à ceux de la conception Cell over Periphery (CoP) NAND. L’entreprise affirme pouvoir atteindre des densités de 28Gb/mm², soit 1To (128Go) par die, ce qui est juste légèrement inférieur à la densité atteinte avec une architecture Quad-Level Cell (QLC) de 9ème génération. De plus, le taux de 5,6Gb/s par broche offre un coup de pouce significatif en performance par rapport au maximum de 3,2Gb/s réalisable avec la conception précédente.
En théorie, les futurs SSD de Samsung pourraient atteindre des capacités allant jusqu’à 16To, avec des vitesses approchant les limites d’une interface PCIe 5.0 x4 pour les lectures et écritures séquentielles.
Samsung présentera cette nouvelle architecture V-NAND prometteuse en détail lors de la prochaine International Solid-State Circuits Conference en février 2025.
