Samsung prépare un V-NAND 400 couches avec un bond vertical pour plus de capacité de stockage

Le futur de la mémoire NAND s’annonce prometteur avec les avancées récentes de Samsung. Le géant sud-coréen projette de lancer sa technologie V-NAND de nouvelle génération, qui devrait proposer une capacité de stockage accrue et une fiabilité améliorée pour les solutions de stockage avancées.

Progrès vers une mémoire V-NAND de 400 couches

Dans un contexte où la demande de stockage est en constante évolution, Samsung a débuté la production de sa 9e génération de V-NAND QLC. Ce développement vise à améliorer les performances et la capacité des solutions de stockage. Selon les retours d’experts, les ambitions ne s’arrêtent pas là ; un avenir avec une V-NAND à 400 couches est à l’horizon, attendue pour 2026.

Avec cette nouvelle architecture, Samsung prévoit une augmentation de 120 couches par rapport à la génération précédente, ce qui représente une hausse significative de 43% en une seule génération. En comparaison, la transition entre la 8e et la 9e génération n’était que de 44 couches.

Pour atteindre cet objectif ambitieux, Samsung adoptera la technologie Bonding Vertical (BV), une méthode innovante qui remplace l’ancienne conception CoP (Circuit on Periphery). Dans cette méthode, les circuits périphériques seront fabriqués séparément avant d’être empilés verticalement, minimisant ainsi les risques de dommages durant le processus.

Cette technique devrait également permettre d’augmenter la densité des bits de près de 60%, ce qui aggrandira considérablement la capacité de stockage sans nécessiter plus d’espace sur les supports. Cela illustre bien l’engagement de Samsung envers l’innovation.

Vers un avenir avec encore plus de couches de V-NAND

Les ambitions de Samsung ne se limitent pas à 400 couches. Le constructeur cible également les 1000 couches de V-NAND, bien que ce développement ne soit pas attendu avant 2027. Cette avancée, marquant une augmentation de 2,5x le nombre de couches, promet d’améliorer les taux I/O de 50%.

Parallèlement à ces développements dans le domaine de la V-NAND, Samsung travaille également sur sa DRAM. En 2027, la société prévoit d’introduire une DRAM améliorée, exploitant une technologie de 0a nm (inférieure à 10 nm) et intégrant la technologie VCT (Vertical Channel Transistor) pour optimiser la capacité de ses modules de mémoire.

Cette nouvelle DRAM devrait voir le jour après une série d’étapes de développement avec des modèles 1c nm en 2025 et 1d nm en 2026. La stratégie progressive de Samsung démontre son engagement dans la quête d’une mémoire de plus en plus performante.

Ces innovations positionnent Samsung comme un leader incontournable dans le domaine du stockage. Leurs futures technologies s’annoncent non seulement révolutionnaires, mais essentielles pour répondre aux besoins croissants du marché.