Samsung a récemment lancé la production en série de sa prochaine génération de mémoire HBM4, atteignant des vitesses allant jusqu’à 13 Gbps et des capacités de 48 Go.
HBM4 : Performances Élevées et Capacité Maximal
La mémoire HBM4 sera intégrée dans des unités de traitement avancées, comme celles d’NVIDIA et AMD. Elle propose des innovations notables, notamment :
- Technologie DRAM de classe 10 nm
- Processus logique 4 nm
- Vitesses de 11,7 à 13,0 Gbps
- Largeur de bande de 3,3 To/s par empilement
Communiqué de presse : Samsung Electronics a officiellement démarré la production de l’HBM4, marquant une avancée majeure dans le secteur et consolidant sa position sur le marché.

En utilisant sa technologie DRAM de 6e génération de 10 nm, Samsung assure des performances stables dès la production. Cette avancée témoigne de leur capacité à répondre aux exigences du marché sans nécessiter de redesign.
L’Efficacité et la Performance au Rendez-vous
La HBM4 offre une vitesse de traitement de 11,7 Gbps, surpassant de 46 % les standards de l’industrie. Cette avancée permet de prévenir les bottleneck (goulots d’étranglement), surtout avec la montée des modèles d’IA.
Le débit total par empilement est également amélioré, atteignant 3,3 To/s, soit 2,7 fois plus que son prédécesseur HBM3E.

Samsung offre des capacités de 24 à 36 Go avec une technologie d’empilement à 12 couches, tout en planifiant des options jusqu’à 48 Go avec un empilement à 16 couches pour répondre aux besoins futurs.
Capacités de Production Flexibles
Samsung s’engage à renforcer sa roadmap pour l’HBM avec des infrastructures de production de pointe. Son processus intégré optimise la qualité et le rendement dès la fabrication.
Les discussions avec des constructeurs de GPU et des spécialistes de l’IA permettront d’élargir leur partenariat technique. Samsung prévoit un triplement de ses ventes d’HBM en 2026.
Les exemplaires d’HBM4E devraient être disponibles au second semestre 2026, avec des modèles personnalisés attendus en 2027.



