Samsung lance la 9e génération de mémoire V-NAND avec une capacité de 1To et des transfert de données élevés

– Samsung Electronics a commencé la production de masse de sa 9e génération de mémoire V-NAND.
– La nouvelle mémoire V-NAND TLC 3D sera initialement utilisée pour construire des SSD à haute capacité et haute performance.

Samsung Electronics a commencé la production en masse de sa 9e génération de mémoire V-NAND. Les premières matrices basées sur leur dernière technologie NAND ont une capacité de 1 To utilisant une architecture TLC (Triple-Level Cell), avec des vitesses de transfert de données allant jusqu’à 3,2 GT/s. La nouvelle mémoire 3D TLC NAND sera initialement utilisée pour construire des SSD à haute capacité et haute performance, ce qui contribuera à consolider la position de Samsung sur le marché du stockage.

Plongeons immédiatement : Samsung évite visiblement de mentionner le nombre de couches dans sa dernière génération de NAND, qui est le principal facteur de croissance de la capacité génération après génération. La NAND V-NAND de 8e génération actuelle de l’entreprise compte 236 couches – similaire à celle de ses principaux concurrents – et des rumeurs circulent selon lesquelles la V-NAND de 9e génération passerait à 290 couches, bien que cela reste à confirmer.

Quoi qu’il en soit, Samsung affirme que sa mémoire V-NAND de 9e génération offre une amélioration d’environ 50% de la densité de mots par rapport à son prédécesseur de 8e génération. Pour atteindre ces gains, l’entreprise cite la miniaturisation de la taille des cellules, ainsi que l’intégration de technologies de mémoire améliorées réduisant les interférences et prolongeant la durée de vie des cellules. Grâce à sa dernière technologie NAND, Samsung a également réussi à éliminer les trous de canal fictifs, réduisant ainsi la surface plane des cellules de mémoire.

Fait intéressant, l’annonce d’aujourd’hui marque également la première fois que Samsung a publiquement confirmé l’utilisation de la méthode du «empilement de chaîne» dans sa NAND, le décrivant comme sa « structure double empilement ». Il est largement admis que l’entreprise utilisait cette méthode dans sa NAND de 8e génération, bien que cela n’ait jamais été confirmé par l’entreprise. Quoi qu’il en soit, l’utilisation de la méthode du empilement de chaîne ne fera qu’augmenter, alors que les vendeurs cherchent à ajouter toujours plus de couches à leurs matrices NAND, tandis que la variabilité de la fabrication et les tolérances des trous de canal rendent difficile la production de plus de 150 à 200 couches dans une seule structure.

En parlant de trous de canal, une autre amélioration technologique clé dans la NAND de 9e génération est la technologie avancée de « gravure de trous de canal » de Samsung. Ce processus améliore la productivité de la fabrication en permettant la création simultanée de chemins électroniques dans une structure à double empilement. Cette méthode est cruciale car elle permet de percer efficacement à travers davantage de couches, ce qui est de plus en plus important à mesure que les couches de cellules sont ajoutées.

La dernière V-NAND présente également l’introduction d’une interface NAND flash plus rapide, Toggle DDR 5.1, qui augmente les taux de transfert de données maximaux de 33% à 3,2 GT/s, soit près de 400 Mo/s pour une seule matrice. De plus, Samsung affirme que la consommation d’énergie de la V-NAND de 9e génération a été réduite de 10%. Bien que Samsung ne précise pas les conditions, on présume que cela est à iso-fréquence plutôt qu’à fréquence maximale.

Le lancement de la V-NAND TLC 1 To de Samsung sera suivi de la sortie d’un modèle à cellules quadriches (QLC) plus tard cette année.

« Nous sommes ravis de proposer la première V-NAND de 9e génération de l’industrie qui fera faire un bond en avant aux applications futures », a déclaré SungHoi Hur, responsable des produits et technologies Flash de l’activité mémoire de Samsung Electronics. « Afin de répondre aux besoins évolutifs en solutions flash NAND, Samsung repousse les limites de l’architecture mobile et des schémas opérationnels pour ce produit de nouvelle génération. Grâce à ce dernière V-NAND, Samsung continuera de donner le ton sur le marché des SSD haute performance et haute densité répondant aux besoins de la prochaine génération d’intelligence artificielle. »