Samsung HBM4E offre 3,25 To/s de bande passante, presque 2,5× plus rapide que HBM3E pour l’IA

Samsung s’affirme comme l’un des premiers constructeurs de HBM à annoncer des avancées concernant le HBM4E lors du sommet du projet Open Compute. La mémoire présentera des améliorations générationnelles significatives.

HBM4E : 13 To/s de vitesse par module

Le géant coréen a récemment sécurisé des contrats avec des entreprises comme NVIDIA et AMD. Lors de l’événement OCP, Samsung a présenté ses produits HBM, notamment le HBM4E qui atteindra des vitesses de 13 Gbps par module, avec une bande passante de 3,25 To/s. Un autre intérêt majeur concerne le HBM4, qui sera abordé plus loin.

Le module HBM4E se distinguera également par une efficacité énergétique améliorée, presque deux fois supérieure à celle de l’HBM3E. De plus, le processus HBM4 a atteint une vitesse de 11 Gbps, supérieur aux normes JEDEC. Ce développement a été facilité par la demande de NVIDIA pour des solutions HBM4 afin d’optimiser ses architectures.

Samsung Electronics, qui a accusé un retard sur ses concurrents en matière de HBM3E, se concentre sur un débit supérieur aux standards du marché depuis le début du développement du HBM4. En réussissant ce combat de vitesse, elle prévoit aussi d’accélérer pour la prochaine génération.
– Sedaily

En plus d’améliorer les performances, Samsung ajuste également sa structure de prix pour HBM4 afin qu’elle soit compétitive. Grâce à son propre département de fonderie, elle peut maîtriser les marges bénéficiaires autour de ces mémoires, offrant ainsi une option attrayante pour ses clients potentiels.

Avec cette stratégie, Samsung est prête à devenir un fournisseur majeur de HBM, créant ainsi une concurrence accrue pour SK hynix et Micron. La sortie commerciale de HBM4E est attendue pour début 2026, concomitante avec la production de masse de HBM4.

Samsung s’affiche donc comme un acteur clé sur le marché des mémoires HBM, redessinant potentiellement le paysage concurrentiel dans les années à venir.