Samsung a présenté un module de ram DDR5 d’une capacité de 512 Go rendu possible par une structure TSV à 8 couches. La technologie High-K Metal Gate (HKMG) utilisée réduit la consommation de 13 % tout en doublant la vitesse de la DDR4.
Samsung DDR5: Le double de performances DDR4 pour moins d’énergie consommée
Samsung Electronics, le leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd’hui qu’il avait élargi sa gamme de mémoires DRAM DDR5 avec le premier module DDR5 de 512 Go du secteur basé sur la technologie de processus HKMG. Offrant des performances plus de deux fois supérieures à celles de la DDR4, jusqu’à 7 200 mégabits par seconde (Mbps). La nouvelle DDR5 sera capable d’orchestrer les charges de travail les plus extrêmes, gourmandes en calcul et en bande passante, dans le domaine des supercalculateurs, de l’intelligence artificielle (IA) et de l’apprentissage automatique (ML), ainsi que des applications d’analyse de données.
« Samsung est la seule entreprise de semi-conducteurs à disposer de capacités logiques et de mémoire, ainsi que de l’expertise nécessaire pour intégrer la technologie logique de pointe de HKMG au développement de produits de mémoire. En apportant ce type d’innovation de processus à la fabrication de DRAM, nous sommes en mesure d’offrir à nos clients des solutions de mémoire à la fois performantes et économes en énergie pour alimenter les ordinateurs nécessaires à la recherche médicale, aux marchés financiers, à la conduite autonome, aux villes intelligentes et au-delà. »
a déclaré Young-Soo Sohn, vice-président du DRAM Memory Planning/Enabling Group chez Samsung Electronics.
» Alors que la quantité de données à déplacer, stocker et traiter augmente de manière exponentielle, la transition vers la DDR5 arrive à un point d’inflexion critique pour les centres de données en nuage, les réseaux et les déploiements en périphérie. Les équipes d’ingénieurs d’Intel travaillent en étroite collaboration avec des leaders de la mémoire tels que Samsung afin de proposer une mémoire DDR5 rapide et économe en énergie, optimisée en termes de performances et compatible avec nos prochains processeurs Intel Xeon Scalable, dont le nom de code est Sapphire Rapids ».
a déclaré Carolyn Duran, vice-présidente et directrice générale de la division Mémoire et technologie IO chez Intel.
La DDR5 de Samsung utilisera la technologie HKMG très avancée, traditionnellement utilisée dans les semi-conducteurs logiques. Avec la réduction continue de la taille des structures DRAM, la couche d’isolation s’est amincie, entraînant un courant de fuite plus élevé. En remplaçant l’isolant par un matériau HKMG, la DDR5 de Samsung sera en mesure de réduire les fuites et d’atteindre de nouveaux sommets en termes de performances. Cette nouvelle mémoire consommera également environ 13 % d’énergie en moins, ce qui la rendra particulièrement adaptée aux centres de données où l’efficacité énergétique devient de plus en plus critique.
Le processus HKMG a déjà été adopté dans la mémoire GDDR6 de Samsung en 2018 pour la première fois dans l’industrie. En étendant son utilisation dans la DDR5, Samsung consolide encore davantage son leadership dans la technologie DRAM de nouvelle génération.
Tirant parti de la technologie TSV (Through Silicon Via), la DDR5 de Samsung empile huit couches de puces DRAM de 16 Go pour offrir la grande capacité de 512 Go. La technologie TSV a été utilisée pour la première fois dans la DRAM en 2014, lorsque Samsung a lancé des modules de serveur d’une capacité maximale de 256 Go.
Samsung échantillonne actuellement différentes variations de sa famille de produits de mémoire DDR5 auprès des clients pour vérification et, finalement, certification avec leurs produits de pointe pour accélérer l’IA/ML, l’informatique exascale, l’analytique, la mise en réseau et d’autres charges de travail à forte intensité de données.
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