Samsung défie SK Hynix et Micron avec le lancement public de la mémoire HBM4
Samsung a dévoilé ses modules de mémoire HBM4 pour la première fois, confirmant ainsi ses préparatifs pour la prochaine compétition sur le marché de la mémoire haute bande passante.
90 % de rendement logique pour les modules HBM4 de Samsung
La HBM4 est désormais un essentiel de l’informatique moderne, principalement en raison de son rôle dans l’optimisation des performances en IA. Les constructeurs coréens tels que Samsung, SK hynix et Micron rivalisent pour fournir des solutions concurrentielles en HBM4. Samsung, après une période de performances en baisse sur le marché de la DRAM, a fait un retour impressionnant, comme l’a démontré sa présence lors de l’exposition des semi-conducteurs (SEDEX) 2025.
Samsung a apparemment appris des erreurs de son passé et s’attaque à la production de masse pour l’HBM4, évitant ainsi de se laisser distancer. Selon DigiTimes, le rendement logique des die de HBM4 de Samsung atteint 90 %, une marque encourageante pour la production. Aucun retard ne semble en cours pour l’instant.
La société met également en place des stratégies pour favoriser l’adoption précoce de l’HBM4, telles que des prix compétitifs, des capacités de production élevées et des vitesses de transmission plus rapides, atteignant environ 11 Gbps pour des clients comme NVIDIA. Bien que Samsung n’ait pas encore reçu l’approbation de NVIDIA pour l’approvisionnement en HBM4, les progrès réalisés donnent matière à un certain optimisme.
SK Hynix a également présenté ses modules HBM4 au même événement, élaborés en partenariat avec TSMC. Le marché de la DRAM devient plus compétitif avec rapidité, notamment en raison des avancées de Samsung et d’une demande qui dépasse les prévisions.
