Roadmap SK hynix : HBM5/HBM5E, GDDR7, DDR6 et NAND 4D à plus de 400 couches en 2029-2031
SK hynix a dévoilé sa roadmap pour les technologies de prochaine génération, incorporant des innovations comme HBM5, GDDR7-next, DDR6 et la NAND 4D à plus de 400 couches, prévue au-delà de 2029.
SK hynix et sa roadmap pour DRAM/NAND de 2029 à 2031
Lors du SK AI Summit 2025, SK hynix a présenté son plan pour les produits de mémoire DRAM et les technologies NAND, incluant des solutions HBM personnalisées et des produits optimisés pour l’IA.
La roadmap s’étend jusqu’à 2028, où l’entreprise envisage de lancer des produits HBM4 16-Hi et HBM4E 8/12/16-Hi. Pour 2029-2031, SK hynix développera les solutions HBM5 et HBM5E, en parallèle de GDDR7-next et DDR6.
Ce développement inclut un système HBM sur mesure intégrant des fonctions dans le die de base afin d’optimiser la surface silicium pour les GPU/ASIC. Cette approche réduit également la consommation d’énergie des interfaces. SK hynix collaborera avec TSMC pour ce projet.
SK hynix prévoit également de nombreux produits DRAM traditionnels, dont le LPDDR6 et des solutions DRAM axées sur l’IA, tout en proposant des NAND standard comme des SSD PCIe Gen5 et Gen6. Ces innovations visent à répondre aux besoins croissants liés à l’IA.
Avec l’arrivée du GDDR7-next, les cartes graphiques conventionnelles pourraient ne voir de nouvelles évolutions qu’après 2027-2028, tandis que la DDR6 introduira des améliorations significatives pour les PC de bureau et portables.
SK hynix envisage également des produits NAND plus avancés, avec des solutions de NAND 4D à plus de 400 couches. Cela soulève des interrogations sur la capacité de cette technologie à répondre aux exigences d’inférence de l’IA.
Caractéristiques de la mémoire AI complète
– SK hynix évolue d’une solution centrée sur le calcul vers des mémoires diversifiées pour une plus grande efficacité, en intégrant des solutions comme le HBM personnalisé et DRAM optimisé pour l’IA.
Ces perspectives nous incitent à réfléchir aux changements des 3 à 4 prochaines années, car le secteur de la mémoire continue d’évoluer rapidement.
