Modules de RAM 36 Go avec des vitesses atteignant 9,6 Gbps
SK hynix a récemment atteint un jalon technologique majeur en lançant la production de masse de sa mémoire HBM3E à 12 couches. Ce produit, offrant une capacité record de 36 Go, s’inscrit dans une stratégie visant à répondre aux demandes croissantes dans le domaine de l’intelligence artificielle.
Une avancée décisive dans la mémoire HBM
Pour la première fois, SK hynix propose une mémoire HBM3E à 12 couches, battant ainsi des records dans l’industrie. En seulement six mois après avoir introduit un produit HBM3E à 8 couches, l’entreprise démontre son rôle de pionnier dans le secteur. La production de masse de cette nouvelle technologie est prévue pour cette année.
SK hynix se distingue par sa capacité à fournir une gamme complète de produits HBM depuis 2013, année de lancement de sa première génération. Avec l’introduction de la HBM3E, l’entreprise renforce sa position sur le marché de la mémoire pour l’IA, où elle ambitionne de répondre aux besoins croissants des entreprises de ce secteur technologique.
Le nouveau produit HBM3E de SK hynix se démarque par son vitesse impressionnante de 9,6 Gbps, établissant ainsi de nouveaux standards pour la mémoire dédiée à l’IA. Par exemple, un modèle de langage de grande taille comme « Llama 3 70B » peut traiter 70 milliards de paramètres en seulement une seconde lorsqu’il est équipé par un GPU équipé de quatre modules HBM3E.
Nous avons franchi des limites technologiques en montrant ce leadership dans la mémoire pour l’IA. Nous sommes déterminés à maintenir ce position de leader mondial en développant de nouveaux produits de mémoire pour l’ère de l’IA.
– Justin Kim, Président (Responsable de l’Infrastructure IA) de SK hynix
Innovation et performance améliorée
La nouvelle HBM3E offre une augmentation de 50% de la capacité grâce à une empilement de 12 couches de puces DRAM de 3 Go maintenu à la même épaisseur que son prédécesseur. Le développement de cette technologie a nécessité une réduction de l’épaisseur des puces de 40% tout en utilisant la technologie TSV pour le stacking.
Ce processus innovant a permis d’améliorer la dissipation thermique de 10% par rapport à la génération précédente, garantissant ainsi à la fois la stabilité et la fiabilité des produits. Les défis liés à la manipulation de puces plus fines à des hauteurs supérieures ont été surmontés grâce à l’application de la technologie avancée MR-MUF de SK hynix.
