Micron lance le premier nœud DRAM 1γ au monde, boostant les performances de la DDR5

Micron a récemment annoncé l’envoi de sa nouvelle technologie DRAM de sixième génération (10nm-class), consolidant ainsi sa position de leader tant sur le marché industriel que sur celui des consommateurs.

Efficacité et Performance Renforcées avec la Nouvelle Technologie DRAM de Micron

Communiqué de Presse: Micron Technology, Inc. a annoncé qu’il est le premier à expédier des exemplaires de mémoire DDR5, basée sur le nœud DRAM 1γ (1-gamma), conçu pour les CPU de nouvelle génération. Ce cap 1γ s’inscrit dans la continuité des nœuds précédents 1α et 1β, apportant des innovations clés pour des plateformes de calcul futures, allant du cloud aux appareils AI en via les smartphones et les véhicules.

Le nouveau nœud DRAM 1γ sera d’abord utilisé dans la mémoire DDR5 de 16Gb et, progressivement, intégré à l’ensemble du portefeuille de mémoire de Micron, répondant à la demande croissante pour des solutions mémoires écoénergétiques et performantes dans le secteur de l’IA. Il offre des vitesses allant jusqu’à 9200 MT/s, soit une augmentation de la vitesse de 15% et une réduction de la consommation électrique de plus de 20% par rapport à ses prédécesseurs.

Importance de cette innovation:
À l’ère de l’intelligence artificielle, la demande en mémoire a atteint des niveaux sans précédent. Le virage de Micron vers le nœud DRAM 1γ vise à résoudre des défis clés auxquels les clients font face :

• Performance améliorée – Les DRAM basées sur 1γ offrent des performances accrues, soutenant le développement des capacités de calcul dans divers appareils, des centres de données aux dispositifs Edge.
• Économie d’énergie – Utilisant une technologie CMOS à haute performance, le nœud 1γ permet une consommation d’énergie réduite de plus de 20%, ce qui contribue à de meilleures performances thermiques.
• Augmentation de la densité des bits – Ce nœud favorise une production de plus de 30% de bits par wafer par rapport à la génération précédente grâce à des innovations de processus et une lithographie avancée.

La technologie DRAM de Micron, ayant évolué sur plusieurs générations, a permis le développement du nœud 1γ, offrant ainsi un meilleur rendement et une performance supérieure grâce à des avancées CMOS et une optimisation de la conception.

En intégrant la lithographie EUV de pointe et des technologies de gravure avancées, le nœud 1γ offre des avantages en matière de densité des bits. En développant ce nœud pour une fabrication mondiale, Micron assure une résilience technologique et d’approvisionnement efficace pour l’industrie.

Révolution des produits du cloud à l’edge
Le nœud 1γ servira de base pour de futurs produits qui seront intégrés dans l’ensemble du portefeuille de mémoire de Micron :

• Centre de données – Les solutions de mémoire DDR5 basées sur 1γ pour les centres de données proposent des performances accrues de 15% tout en optimisant l’efficacité énergétique, permettant un meilleur dimensionnement des performances des serveurs.
• Edge AI – Les solutions DRAM à faible consommation de 1γ améliorent les économies d’énergie et augmentent la bande passante, enrichissant ainsi l’expérience utilisateur dans les applications Edge AI.
  • PC AI – Les modules SODIMM DDR5 1γ augmentent les performances tout en réduisant la consommation électrique de 20%, ce qui prolonge la durée de vie de la batterie et améliore l’expérience utilisateur global des ordinateurs portables.
  • Mobile – Les LPDDR5X 1γ permettent des expériences IA exceptionnelles à la périphérie, poursuivant la domination de Micron dans le secteur mobile.
  • Automobile – La mémoire LPDDR5X basée sur 1γ accroît la capacité, la longévité et la performance, avec des vitesses atteignant 9600 MT/s.