Micron a récemment franchi une étape importante en lançant sa toute nouvelle mémoire NAND TLC de 9e génération, qui intègre 276 couches actives. Cette avancée technologique promet des gains significatifs en termes de performance et de densité, redéfinissant ainsi les standards du marché. Le sujet mérite une attention particulière.
Micron a annoncé mardi avoir commencé l’expédition de sa NAND TLC à 276 couches de 9e génération (G9). Cette nouvelle génération de NAND, issue de ce constructeur prolifique de mémoire, vise à améliorer encore les performances de la NAND TLC, offrant des gains substantiels en matière de densité et de performance par rapport à la technologie NAND existante.
La mémoire NAND TLC G9 de Micron présente 276 couches actives, une augmentation par rapport aux 232 couches de la génération précédente. À ce stade, l’entreprise reste dédiée sur les détails techniques dans ses documents officiels. Cependant, lors d’une brève interview avec Blocks & Files, elle a confirmé que la NAND 276L utilise toujours une architecture à six plans, introduite avec la génération 232L. Nous supposons également que Micron empile deux jeux de NAND, comme cela a été fait ces deux dernières générations, ce qui donne des jeux de 138 couches.
| Mémoire Flash NAND TLC Micron | |||
| 276L | 232L
(B58R) |
176L
(B47R) |
|
| Couches | 276 | 232 | 176 |
| Jeux | 2 (x138)? | 2 (x116) | 2 (x88) |
| Capacité Die | 1 Tbit | 1 Tbit | 512 Gbit |
| Taille Die (mm2) | ~48.9mm2 | ~70.1mm2 | ~49.8mm2 |
| Densité (Gbit/mm2) | ~21 | 14.6 | 10.3 |
| Vitesse I/O | 3.6 GT/s
(ONFi 5.1) |
2.4 GT/s
(ONFi 5.0) |
1.6 GT/s
(ONFI 4.2) |
| Plans | 6 | 6 | 4 |
| CuA / PuC | Oui | Oui | Oui |
Concernant la densité, Micron a indiqué à Blocks & Files avoir amélioré sa densité NAND de 44% par rapport à sa génération 232L. Cela indiquerait, selon les connaissances, une densité d’environ 21 Gbit/mm2. Pour un die de 1 Tbit de NAND TLC, cela équivaut à une taille d’environ 48.9mm2, comparable à celle d’un die TLC de 512 Gbit provenant de l’ancienne NAND 176L de Micron.
En plus d’améliorer la densité, l’autre priorité avec cette nouvelle génération de NAND de Micron a été d’augmenter son débit. Tandis que la NAND 232L de l’entreprise était construite selon la caractéristique ONFi 5.0, avec des débits maximaux de 2400 MT/sec, la nouvelle NAND 276L atteint 3600 MT/sec, conforme à la caractéristique ONFi 5.1.
De plus, les observateurs attentifs noteront également le nouveau logo de 9e génération/G9 de Micron. Jusqu’à présent, Micron n’avait pas utilisé ce type de désignation générationnelle pour sa NAND, qui était simplement identifiée par son nombre de couches (et avant l’ère 3D, par sa taille de caractéristiques). En interne, ce serait considéré comme l’architecture NAND 3D de 7e génération de Micron. Cependant, en empruntant un concept de l’industrie des usines logiques, Micron semble vouloir se positionner en tant que 9e génération afin de rester en phase avec ses concurrents qui développent leurs propres NAND de 8e/9e génération (et ainsi revendiquer d’être le premier constructeur de NAND à expédier la NAND de 9e génération).
Et bien que cette NAND finisse par se retrouver dans divers dispositifs – y compris, sans aucun doute, des SSD PCIe Gen5 haut de gamme grâce à ses débits élevés – le véhicule de lancement de Micron pour cette NAND est son propre SSD client Micron 2650. Le 2650 est un SSD PCIe Gen4 x4 relativement simple, utilisant un contrôleur sans DRAM non identifié avec la nouvelle NAND de Micron. Il est proposé en 3 formats – M.2 2280, 2242 et 2230 – avec des capacités modestes allant de 256 Go à 1 To.

Les SSD NVMe 2650 de Micron offrent des performances de lecture séquentielle allant jusqu’à 7000 Mo/s, ainsi que des performances d’écriture séquentielle atteignant 6000 Mo/s. En ce qui concerne les performances aléatoires, on parle jusqu’à un million d’IOPS de lecture et d’écriture, selon la configuration.
| Caractéristiques du SSD Micron 2650 | |||
| Capacité | 1 To | 512 Go | 256 Go |
| Contrôleur | PCIe Gen4 sans DRAM | ||
| NAND Flash | Micron G9 (276L) TLC NAND | ||
| Format, Interface | M.2-2280/2242/2230 unilatéral
PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4c |
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| Lecture Séquentielle | 7000 Mo/s | 7000 Mo/s | 5000 Mo/s |
| Écriture Séquentielle | 6000 Mo/s | 4800 Mo/s | 2500 Mo/s |
| IOPS de Lecture Aléatoire | 1000K | 740K | 370K |
| IOPS d’Écriture Aléatoire | 1000K | 1000K | 500K |
| Mise en cache SLC | Oui | ||
| Chiffrement TCG Opal | 2.02 | ||
| Endurance d’Écriture | 600 To | 300 To | 200 To |
Les performances des disques varient largement selon la capacité, soulignant l’importance du parallélisme pour suivre le contrôleur PCIe Gen4. Les capacités nominatives des disques varient également, le plus petit ayant une capacité de 200 TBW (800 écritures de disque), tandis que le plus grand est noté pour 600 TBW (600 écritures de disque).
« L’expédition de la NAND G9 de Micron témoigne de l’expertise de Micron dans la technologie de processus et les innovations de design », a déclaré Scott DeBoer, vice-président exécutif de la technologie et des produits chez Micron. « La NAND G9 de Micron est jusqu’à 73% plus dense que les technologies concurrentes présentes sur le marché actuel, permettant des solutions de stockage plus compactes et efficaces, profitant tant aux consommateurs qu’aux entreprises. »
La mémoire NAND TLC 276 couches G9 de Micron est également en phase de qualification avec des clients en forme de composants, donc attendez-vous à ce que les partenaires constructeurs de l’entreprise l’adoptent pour leurs SSD haut de gamme dans les prochains trimestres. De plus, Micron prévoit des SSD sous la marque Crucial basés sur sa mémoire NAND G9.



