Mémoire DDR6 ultra-rapide à 17 600 MT/s : lancement prévu en 2027
La prochaine génération de mémoire pour PC arrive. Avec l’anticipation de la DDR6 pour 2027, les principaux constructeurs de puces se préparent à améliorer les performances, touchant aussi bien les jeux que l’IA.
Le standard DDR6, élaboré fin 2024, devrait faire ses débuts commerciaux en 2027. Selon la publication taïwanaise Commercial Times, Samsung, Micron et SK Hynix avancent sur les conceptions prototypes et se concentrent maintenant sur le développement des contrôleurs. Ces entreprises collaborent également avec Intel et AMD pour des tests d’interface, avec une validation des plateformes prévue pour l’année prochaine.
Les deux grands constructeurs de processeurs x86 prévoient de supporter DDR6 dans leurs futurs CPU, ouvrant la voie à son adoption généralisée dans les serveurs d’IA, les systèmes de calcul haute performance, et les ordinateurs portables haut de gamme. Selon des sources industrielles, DDR6 offrira de majeures mises à jour architecturales par rapport à DDR5, avec des vitesses de base commençant à 8,800 MT/s et atteignant jusqu’à 17,600 MT/s, soit le double de la limite officielle de la DDR5 actuelle. Certains rapports évoquent des modules overclockés pouvant atteindre des vitesses proches de 21,000 MT/s.
– Darkmont (@DarkmontTech) Mai 21, 2024
Une autre mise à jour clé à surveiller est l’architecture multi-canaux de DDR6, qui dispose de quatre sous-canaux de 24 bits. Ce design améliore le traitement parallèle, le flux de données et l’efficacité de la bande passante par rapport à la configuration duale de 32 bits de DDR5. Toutefois, il impose également des exigences plus élevées en matière de conception des E/S des modules et d’intégrité du signal.
Les constructeurs de mémoire positionnent CAMM2 comme un design (form factor) crucial pour DDR6, en particulier dans les ordinateurs portables et autres appareils compacts. Ce nouveau design de module promet de meilleures performances, une capacité accrue, et une efficacité améliorée comparée aux DIMMs et SO-DIMMs traditionnels. Asus et G.Skill ont récemment présenté un module CAMM2 de 64 Go fonctionnant à des vitesses de DDR5-10000, mettant en avant le potentiel de ce format.
Suite à la publication du projet de DDR6, le Joint Electron Device Engineering Council a publié le projet final de LPDDR6 plus tôt ce mois-ci, permettant aux entreprises de semiconducteurs, constructeurs de mémoire et concepteurs de puces de commencer les tests et validations sous un cadre unifié. Le média sud-coréen The Guru rapporte que Qualcomm, MediaTek, et Synopsys développent déjà le support de LPDDR6 pour leur hardware, tandis que Samsung et SK Hynix, ayant consacré des années à l’élaboration du standard, prévoient de commencer la production en masse de modules LPDDR6 d’ici la fin de l’année.
