Les projets à venir de SK Hynix dans le domaine de la mémoire jusqu’en 2031
Le constructeur de mémoire SK Hynix a récemment dévoilé ses ambitions pour les années à venir, présentant une série d’innovations, notamment des SSD PCIe Gen 7, de la VRAM GDDR7-Next pour les cartes graphiques, et de la DRAM 3D. Lors du SK AI Summit 2025, la société a partagé son calendrier prévu de 2026 à 2031, abordant de nombreux sujets tels que HBM5 et de nouveaux dispositifs de stockage à haute vitesse.
La roadmap est divisée en deux périodes. La première, de 2026 à 2028, évoque l’arrivée des SSD PCIe Gen 6, non seulement pour les centres de données, mais aussi pour le grand public. Ce plan inclut plusieurs déclinaisons de mémoire HBM4 et HBM4E, conçues pour des tâches à large bande passante telles que le calcul et l’intelligence artificielle.
De plus, la mémoire LPDDR6 fera son apparition sur les appareils à faible consommation, tandis que la RAM LPDDR5x SOCAMM2 sera disponible pour les ordinateurs portables compacts et autres dispositifs à forte densité. Il est également prévu de lancer des SSD PCIe Gen 5 d’une capacité impressionnante, avec des modèles QLC (quad-level cell) offrant plus de 245 To de stockage.
Nouveaux Developpements de 2029 à 2031
La seconde partie de la roadmap couvre les produits attendus entre 2029 et 2031, incluant le successeur de la VRAM GDDR7, qui alimente actuellement les cartes graphiques NVIDIA GeForce RTX 5000 Series. Appelée GDDR7-Next, cette nouvelle génération de mémoire devrait surpasser le débit théorique de 48 Gb/s par broche de la GDDR7. Bien que nous ne soyons pas prêts d’observer des cartes utilisant cette vrain avant 2029, la GDDR7 bénéficie toujours d’une marge de progression, avec des produits atteignant actuellement 30 à 32 Gb/s.
Parmi ces innovations, la DRAM 3D mérite une attention particulière. En empilant plusieurs couches de cellules DRAM verticalement et en les reliant par des TSV (Through-Silicon Vias), cette technologie augmente la densité tout en réduisant la latence et la consommation électrique, sans recourir à des techniques de fabrication de transistors plus petits. Cette configuration devrait permettre une réduction de 30 % de la surface de puce par rapport à la DRAM 6F2.
Évolution Continue de la Technologie de Stockage
Enfin, l’évolution de HBM se poursuit durant ces deux périodes, accompagnée des SSD NVMe, ce qui assurera une performance accrue des technologies flash. Dans un premier temps, les centres de données d’IA seront les principaux bénéficiaires, tandis que les consommateurs pourront en profiter plus tard pour le stockage Gen 6/7. SK Hynix semble bien préparé pour les cinq prochaines années, mais le respect de cette roadmap reste à confirmer.
