Partenariat Samsung et Preferred Networks pour les puces 2nm : une révolution pour l’IA
- Samsung a annoncé une collaboration avec la société japonaise d’IA Preferred Networks pour fournir des puces de classe 2nm, avec une technologie d’empaquetage Interposer-Cube S 2.5D.
- Preferred Networks vise à développer des accélérateurs d’IA puissants en partenariat avec Samsung Electronics pour son nœud de processus 2nm et sa technologie d’empaquetage 2.5D Interposer-Cube S.
Samsung a annoncé une collaboration avec la société japonaise d’IA Preferred Networks pour fournir des puces de classe 2nm. Le constructeur coréen prévoit d’utiliser sa technologie d’emballage Interposer-Cube S 2.5D.
La société japonaise d’IA Preferred Networks vise à développer de puissants accélérateurs d’IA pour répondre à la demande croissante en IA générative. Pour ce faire, elle s’est associée à Samsung Electronics pour son nœud de processus de 2 nm et sa technologie d’emballage 2.5D Interposer-Cube S.
GaonChips, une société spécialisée dans le développement de semiconducteurs système, a conçu la version. Elle a tiré parti de la technologie d’emballage avancée 2.5D de Samsung pour intégrer et connecter plusieurs puces sur un seul package à l’aide d’interposers en silicium. Ce dernier est crucial pour fournir l’intégrité de puissance et de signal requise pour des performances optimales, grâce à sa couche de redistribution ultra fine.
Preferred Networks est un acteur majeur sur le marché mondial de l’IA, ayant obtenu la première place trois fois au cours des cinq dernières années sur la liste Green500 des supercalculateurs. Ceci est favorisé par l’intégration verticale de la société de logiciels et de matériels avancés, débloquant tout le potentiel de ses conceptions.
« Cette commande est cruciale car elle valide la technologie de processus GAA de 2nm de Samsung et la technologie d’emballage avancée comme une solution idéale pour les accélérateurs d’IA de prochaine génération », a déclaré Taejoong Song, vice-président de la société et chef de l’équipe de développement des affaires de fonderie chez Samsung Electronics. « Nous nous engageons à collaborer étroitement avec les clients pour garantir que les caractéristiques de haute performance et de faible consommation d’énergie de les produits soient pleinement réalisées. »
La technologie de transistor GAA de 2nm de Samsung (Gate All Around) est une structure de transistor dans laquelle la grille contrôle l’écoulement du canal sur les quatre côtés, marquant la transition du FinFET (transistor à effet de champ avec ailette). Selon Samsung, sa technologie GAA permet des vitesses plus élevées avec une consommation d’énergie plus faible tout en prenant moins d’espace en silicium. Une situation gagnant-gagnant-gagnant.
A l’avenir, Samsung travaillera sur le MBCFET (transistor à canal multi-pont), qui élargira les canaux pour permettre un plus grand flux de courant tout en réduisant la résistance, améliorant ainsi davantage les performances et l’efficacité. La largeur de ce canal peut être modifiée pour répondre à différentes exigences : des plus petites pour des puces efficaces ou des plus larges pour des processeurs haute performance, par exemple. Samsung prévoit de commencer la production de masse de sa technologie GAA de 2nm au second semestre de 2025.
