L’ascension d’Intel : Une densité SRAM rivalisant avec TSMC pour un retour en force
Le nouveau processus 18A d’Intel se distingue par une densité de SRAM comparable à celle du procédé N2 de TSMC, marquant une avancée significative pour le constructeur. Cette prouesse attire l’attention non seulement des experts, mais aussi des acteurs politiques, renforçant les ambitions d’Intel dans le secteur des semi-conducteurs.
Un pas en avant pour le processus 18A d’Intel
Avec des indications de croissance positive, Intel semble désormais sur la bonne voie avec son processus 18A. Lors des sessions d’ISSCC, des informations ont été partagées sur la compétition accrue entre TSMC et Intel en matière de densité de SRAM, suggérant que l’écart qui les séparait s’est réduit concernant cet aspect crucial.
Sat in @ieee_isscc session 29: SRAM
1st paper: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM
2nd paper: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM
3rd paper: @Mediatek 3nm TCAM
4th paper: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAMIt’s a battle royale.
— 𝐷𝑟. 𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) Février 19, 2025
Le 18A s’appuie sur une technologie innovante, baptisée BSPDN (Backside Power Delivery), qui réorganise la distribution de l’énergie à l’arrière de la plaquette. Cette approche permet d’optimiser l’efficacité énergétique et d’améliorer l’intégrité des signaux, représentant ainsi un tournant majeur pour le processus. Ce changement pourrait bien redéfinir les standards de l’industrie.
Le processus 18A d’Intel affiche une densité de 38,1 Mb/mm² pour sa version « haute densité ». Bien que différentes configurations d’éléments de mémoire SRAM puissent influencer la densité, les perspectives restent encourageantes. Il convient néanmoins de rester prudent, car la vraie épreuve se jouera lors de la production des puces et des taux de rendement qui en découleront.
De son côté, TSMC a révélé des détails sur son procédé N2, signalant une amélioration de 12% de la densité de SRAM grâce à l’intégration de la technologie GAA. Cette avancée se traduit par une augmentation remarquable de 18% pour les SRAM haute performance. Le passage aux « nanosheets » pour la série N2 facilite une personnalisation plus poussée du processus.
Une concurrence aiguisée entre TSMC et Intel
La compétition entre TSMC et Intel dans la fabrication de semi-conducteurs est plus vive que jamais. La manière dont chacun gérer les chaînes d’approvisionnement et concrétise ses innovations sera essentielle pour déterminer le vainqueur de cette course technologique. Les performances futures de leurs processus respectifs ne manqueront pas d’attirer l’attention des analystes et des investisseurs.
