Intel présente son prototype de mémoire ZAM avec architecture Z-Angle et performances optimisées
La technologie de mémoire ZAM d’Intel a récemment suscité un grand intérêt. L’équipe bleue a dévoilé un prototype promettant d’apporter des solutions innovantes dans le domaine.
Prototype de Z-Angle Memory à l’Intel Connection Japan 2026
Malgré son retrait du marché DRAM depuis plusieurs décennies, Intel a fait une incursion notable avec Saimemory, une filiale de SoftBank, en lançant le Z-Angle Memory (ZAM). Selon le site japonais PCWatch, le prototype a été présenté lors de l’événement Intel Connection Japan 2026, principalement axé sur l’atténuation des contraintes de performance et thermiques par rapport aux solutions actuelles.
Étaient présents à l’événement Joshua Fryman, Fellow et CTO d’Intel, et Makoto Onho, PDG d’Intel Japon. Jusqu’à présent, ZAM était principalement mentionné dans des études et communiqués. Cela évoqué, Intel a prouvé son engagement en présentant un prototype. La caractéristique marquante de cette mémoire est son topologie d’interconnexion décalée, optimisant ainsi la gestion thermique, selon Intel.
Le rôle précis d’Intel dans le projet ZAM reste à clarifier. Selon le hardware promotionnel présenté, la société serait en charge de « l’investissement initial et des décisions stratégiques ». Plusieurs avantages potentiels liés à ZAM ont été évoqués, y compris :
- Consommation d’énergie réduite de 40-50%
- Fabrication simplifiée par les interconnexions Z-Angle
- Stockage plus élevé par puce (jusqu’à 512 Go)
La volonté d’Intel d’entrer sur ce marché est révélatrice d’une stratégie visant à rivaliser avec l’offre HBM.
