Intel 18A : Détails sur le nouveau processus de fabrication et ses avantages par rapport à Intel 3
Intel a récemment présenté son nouveau processus 18A, qui remplacera l’ancien processus 3. Cette avancée promet d’améliorer à la fois les performances et l’efficacité énergétique des puces.
Le Nouveau Processus 18A d’Intel : Performances et Efficacité Renouvelées
Lors du Symposium 2025 sur la technologie et les circuits VLSI, Intel a mis en avant les caractéristiques de son processus 18A. Ce dernier sera intégré dans les futurs processeurs « Panther Lake » pour les utilisateurs et les Xeon destinés aux serveurs.
Technologie CMOS Avancée
Le processus 18A d’Intel intègre la technologie RibbonFET (GAA) et PowerVia. Ces innovations offrent plus de 30 % d’augmentation de densité et une amélioration significative des performances par rapport au nœud Intel 3, tout en facilitant la conception.
Les principaux atouts du 18A résident dans la technologie RibbonFET et PowerVia. Cela marque une avancée vers des technologies de traitement supérieures.
Avec la technologie RibbonFET, Intel fait un bond significatif par rapport à la technologie FinFET. Cela se traduit par une meilleure électrostatique des portes et une efficacité accrue sur l’espace occupé.
La flexibilité de conception s’améliore également. Intel introduit plusieurs largeurs de rubans pour augmenter l’efficacité et la performance des puces de la prochaine génération utilisant ce processus.
La technologie PowerVia d’Intel améliore la distribution d’énergie des transistors. En utilisant des fils de signal d’alimentation au dos, les performances logiques s’en trouvent renforcées.
- Densité logique améliorée
- Meilleure utilisation des cellules standards
- Diminution des délais de signal
- Réduction de l’affaiblissement de tension
- Plus de flexibilité de conception
Caractéristiques du Processus 18A d’Intel
| Paramètres | Valeurs |
|---|---|
| Taille de bibliothèque (nm) | 180/160 |
| Contacted Poly Pitch (nm) | 50 |
| M0 Pitch (nm) | 32 |
| Zone SRAAM HCC/HDC | 0.023/0.021 um² |
| Nombre de couches métalliques frontales | 10ML Low cost, 10ML haute densité, 14-16ML haute performance |
| Nombre de couches métalliques arrière | 3ML+3ML |
Ces avancées permettent au 18A de fournir jusqu’à 15 % d’amélioration de performance par rapport au nœud précédent.
Avec une tension de 1,1V, le processus 18A atteint une fréquence 25 % plus élevée. Il prend également en charge des opérations à faible tension, permettant des économies d’énergie significatives.
- Transistors RibbonFET
- Avantage d’alimentation au dos
- Améliorations des interconnexions frontales
- Co-optimisation Processus/Développement
Intel vise également une amélioration de la densité, offrant jusqu’à 39 % de gain par rapport au 3. La technologie PowerVia augmente l’utilisation des cellules, réduisant par la même occasion divers problèmes liés à l’alimentation.
Enfin, en ce qui concerne la mise à l’échelle des SRAM, le 18A présente une amélioration de 30 % par rapport à son prédécesseur. Intel prévoit d’autres itérations de ce nœud entre 2026 et 2028, élargissant ainsi les options pour la production de puces.
