Huawei se lance dans le développement d’un nœud 3nm pour l’industrie des puces en Chine
Huawei projette de développer un nœud avancé pour l’industrie des semi-conducteurs en Chine, notamment le 3nm GAA, positionnant ainsi l’entreprise sur le devant de la scène concurrentielle. Avec une présence solide non seulement dans le secteur mobile, mais aussi dans l’intelligence artificielle et l’informatique, Huawei s’affirme comme un acteur incontournable. Selon un communiqué du Taiwan Economic Daily, des travaux de recherche et développement ont été lancés pour le 3nm GAA à la suite du succès du SoC Kirin X90, utilisant un procédé national de 5nm de SMIC.
Huawei Accélère sur le 3nm GAA
Il semblerait que Huawei choisisse le chemin du GAA (Gate-All-Around) pour son 3nm, en s’éloignant des conceptions de silicium traditionnelles pour les canaux de transistors. L’entreprise envisagerait d’utiliser des matériaux « deux dimensions », une approche inédite pour cette taille de nœud. Cette méthode pourrait améliorer la performance à une échelle réduite tout en diminuant la consommation d’énergie par rapport aux conceptions classiques en silicium.
Parallèlement, Huawei explore également un design 3nm « à base de carbone » intégrant des nanotubes de carbone. Ce type de transistor pourrait remplacer ceux basés sur le silicium, ouvrant ainsi la voie à des alternatives innovantes. Ces projets sont encore à un stade préliminaire, mais avec l’expérience de l’entreprise dans le segment des 5nm et sa capacité à intégrer ces nœuds dans des produits commerciaux, des avancées significatives sont à anticiper.
En se hissant au rang d’acteur clé dans la région, Huawei a su intégrer verticalement sa chaîne d’approvisionnement, ce qui lui permet de rivaliser avec les entreprises occidentales sur le plan de la technologie. Nous nous dirigeons vers une époque fascinante, surtout en tenant compte de l’équilibre technologique entre les États-Unis et la Chine.
