SK hynix confirme le développement de la DRAM HBM3e la plus rapide au monde, échantillonnée par NVIDIA et ses partenaires constructeurs
SK hynix a confirmé le développement de la DRAM HBM3e la plus rapide au monde, qui est maintenant fournie à NVIDIA et à d’autres clients pour évaluation.
La DRAM HBM3e de SK hynix est non seulement plus rapide, mais offre également des capacités plus élevées, une meilleure dissipation de la chaleur et une compatibilité facile
En juin dernier, il a été rapporté que SK hynix avait reçu une demande de NVIDIA pour échantillonner sa DRAM HBM3e de nouvelle génération, ce qui est devenu réalité lorsque NVIDIA a annoncé son GPU GH200 avec une DRAM HBM3e boostée, offrant une bande passante allant jusqu’à 5 To/s par puce.
Communiqué de presse: SK hynix Inc. a annoncé aujourd’hui qu’elle a développé avec succès la HBM3E, la DRAM de dernière génération la plus performante actuellement disponible pour les applications d’IA, et a déclaré que l’évaluation d’échantillons par un client est en cours.
La société a déclaré que le développement réussi de la HBM3E, la version étendue de la HBM3 qui offre les meilleures caractéristiques au monde, s’ajoute à son expérience en tant que principal fournisseur de masse de HBM3 de l’industrie. Forte de son expérience en tant que fournisseur du plus grand volume de produits HBM de l’industrie et de son niveau de préparation à la production de masse, SK hynix prévoit de produire en masse la HBM3E au cours du premier semestre de l’année prochaine et de consolider son leadership inégalé sur le marché de la mémoire AI.
Selon l’entreprise, le dernier produit non seulement répond aux normes de vitesse les plus élevées de l’industrie, caractéristique clé pour les produits de mémoire AI, mais offre également des capacités, une dissipation de chaleur et une convivialité remarquables.
En termes de vitesse, la HBM3E peut traiter des données jusqu’à 1,15 téraoctets (To) par seconde, ce qui équivaut au traitement de plus de 230 films Full-HD de 5 Go chacun en une seconde.
De plus, le produit offre une amélioration de 10% de la dissipation de chaleur en adoptant la technologie de pointe du Mass Reflow Molded Underfill avancé, ou MR-MUF**, sur le dernier produit. Il offre également une compatibilité ascendante*** qui permet l’adoption du dernier produit même sur les systèmes qui ont été préparés pour la HBM3 sans modification de conception ou de structure.
** MR-MUF : un processus consistant à fixer les puces aux circuits et à remplir l’espace entre les puces avec un matériau liquide lors de l’empilage des puces, au lieu de poser un film pour améliorer l’efficacité et la dissipation de chaleur
*** Compatibilité ascendante : une capacité à permettre l’interopérabilité entre un système plus ancien et un nouveau sans modification de la conception, en particulier dans les domaines des technologies de l’information et du calcul. Un nouveau produit de mémoire compatible ascendante permet une utilisation continue des CPU et GPU existants sans modification de la conception
“Nous avons une longue histoire de collaboration avec SK hynix sur la mémoire hautes performances pour les solutions de calcul accéléré de pointe”, a déclaré Ian Buck, vice-président de l’informatique hyperscale et HPC chez NVIDIA. “Nous sommes impatients de poursuivre notre collaboration avec la HBM3E pour proposer la prochaine génération de calcul IA.”
Sungsoo Ryu, responsable de la planification des produits DRAM chez SK hynix, a déclaré que l’entreprise, grâce au développement de la HBM3E, a renforcé son leadership sur le marché en améliorant davantage la complétude de la gamme de produits HBM, qui est au centre de l’attention avec le développement de la technologie de l’IA. « En augmentant la part d’approvisionnement des produits HBM de grande valeur, SK hynix cherchera également un retour rapide sur ses activités. »
Retrouvez, la vidéo d’un de nos confrères hardware de la semaine :
Sources : VideoCardz, WCCF Tech
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