Samsung Foundry va dévoiler de nouveaux détails sur la technologie de processus SF4X pour les centres de données HPC
Pendant le Symposium sur la technologie et les circuits VLSI de cette année, Samsung Foundry dévoilera la technologie de processus SF4X de l’entreprise pour les applications HPC telles que les processeurs et les GPU de centres de données.
Le nouveau SF4X de Samsung offrira des niveaux de performance supérieurs pour répondre aux besoins des clients exigeant plus de puissance pour les applications de centre de données HPC
La technologie de processus SF4X, initialement connue sous le nom de technologie de processus 4HPC ou 4 nm pour l’informatique haute performance, devrait offrir une efficacité et une vitesse accrues.
Les représentants de Samsung Foundry présenteront le document « Highly Reliable/Manufacturable 4nm FinFET Platform Technology (SF4X) for HPC Application with Dual-CPP/HP-HD Standard Cells » lors du Symposium sur la technologie et les circuits VLSI 2023. Les notes de présentation pour le symposium à venir traitent des points suivants :
Dans ce document, la technologie 4 nm la plus performante (SF4X) pour l’application HPC a été avec succès démontrée. Les caractéristiques clés sont (1) une augmentation significative de la performance de +10 % avec une réduction de la puissance de -23% via l’ingénierie du stress SD avancée, T-DTCO à niveau de transistor et une méthode MOL (milieu de ligne), (2) de nouvelles options HPC : dispositif de tension ultra-faible (ULVT), SRAM haute vitesse et garantie de fonctionnement à haute Vdd avec une méthode MOL nouvellement développée.
L’amélioration de SF4X a été prouvée par un produit pour réduire la tension minimale de CPU de 60 mV / réduire la variation IDDQ de 10 % conjointement avec une marge améliorée du processus SRAM. De plus, pour assurer un fonctionnement à haute Vdd, la tension de rupture porte-grille est améliorée de plus de 1V sans dégradation des performances. Cette technologie SF4X offre d’énormes avantages de performance pour diverses applications dans une large plage d’opérations.
via VLSI
Le PDG de Samsung a précédemment laissé entendre que bien que leurs nœuds actuels et à venir ne seront pas capables d’être au même niveau que TSMC, l’entreprise s’attend à dépasser le géant taïwanais dans 5 ans.
Le nouveau SF4X de Samsung Foundry rivalisera avec la technologie de nœuds N4P/N4X de la fonderie concurrente TSMC pour les années à venir. Il est inconnu à quel niveau de performance la technologie de processus bénéficiera aux clients HPC, ainsi qu’au coût et à l’efficacité, en raison du manque de scores de performance précoces.
Cependant, l’entreprise affirme que le nouveau SF4X offrira une puissance et des performances supérieures pour les applications de centre de données HPC. Avec l’informatique haute performance étant un sujet important dans l’industrie nécessitant des niveaux de calcul, d’énergie et plus encore, l’entreprise espère que sa vaste base de clients adoptera la nouvelle technologie de processus. Actuellement, les nœuds de processus HPC sont requis par des sociétés telles que AMD, Intel, NVIDIA et des sociétés telles qu’Ampere, Graphcore et IBM.
Les applications de calcul hautes performances sont très demandées pour les centres de données pour les processeurs et les GPU pour traiter d’importantes quantités de calcul. L’apprentissage automatique et l’intelligence artificielle sont synonymes lorsqu’il s’agit d’applications HPC. Samsung et TSMC s’efforcent de créer de nouveaux processus de fabrication plus complexes pour répondre aux besoins de leurs clients. Samsung présente une technologie qui offrira une « augmentation significative de la performance de +10 % avec une réduction de la puissance de -23% » et qui sera très nécessaire car elle offrira la possibilité de réduire les coûts tout en limitant les risques environnementaux.
Retrouvez, la vidéo d’un de nos confrères hardware de la semaine :
Sources : VideoCardz, WCCF Tech
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