Samsung a dévoilé la première solution DDR5 DRAM de 32 Gb au monde basé sur une technologie de processus de 12 nm qui permet des modules de mémoire jusqu’à 128 Go.
Samsung rend possible d’avoir des modules de mémoire DDR5 de 128 Go avec 32 Gb de DRAM, basé sur un processus de 12 nm
Jusqu’à présent, des fabricants de mémoire tels que SK hynix et Micron offraient jusqu’à 24 Gb de DDR5 DRAM, ce qui permet une solution de mémoire jusqu’à 96 Go. Mais Samsung monte d’un cran avec une solution de 32 Gb plus dense de 33,3 % basée sur le noeud de 12 nm. Pendant ce temps, Micron a confirmé une DDR5 DRAM de 32 Gb, mais l’a seulement annoncée dans sa roadmap jusqu’à présent.
Communiqué de presse: Samsung Electronics, leader mondial de la technologie de mémoire avancée, a annoncé aujourd’hui qu’il avait développé la première DRAM DDR5 de 32 Gb avec une capacité record utilisant une technologie de processus en classe de 12 nanomètres (nm). Cette réussite fait suite au démarrage de la production de masse de sa DRAM DDR5 de 16 Gb en classe de 12 nm en mai 2023. Elle confirme le leadership de Samsung dans la technologie de mémoire de nouvelle génération et ouvre la voie au prochain chapitre de la mémoire à haute capacité.
« Avec notre DRAM de 32 Gb en classe de 12 nm, nous avons obtenu une solution qui permettra des modules DRAM pouvant atteindre 1 téraoctet (To), ce qui nous permet d’être idéalement positionnés pour répondre aux besoins croissants en DRAM à haute capacité à l’ère de l’intelligence artificielle et des mégadonnées », a déclaré SangJoon Hwang, vice-président exécutif des produits et de la technologie de DRAM chez Samsung Electronics. « Nous continuerons à développer des solutions DRAM grâce à des technologies de processus et de conception différenciées pour repousser les limites de la technologie de mémoire. »
Une augmentation de la capacité de la DRAM de 500 000 fois depuis 1983
Après avoir développé sa première DRAM de 64 kilobits (Kb) en 1983, Samsung a réussi à augmenter sa capacité de DRAM de 500 000 fois au cours des 40 dernières années.
Le tout nouveau produit de mémoire de Samsung, développé à l’aide de processus et de technologies de pointe pour augmenter la densité d’intégration et l’optimisation de la conception, offre la capacité la plus élevée de l’industrie pour une seule puce de DRAM et offre deux fois la capacité de la DRAM DDR5 de 16 Gb dans la même taille de boîtier.
Auparavant, les modules DDR5 de 128 Go de DRAM fabriqués avec une DRAM de 16 Gb nécessitaient le processus Through Silicon Via (TSV). Cependant, en utilisant la DRAM de 32 Gb de Samsung, le module de 128 Go peut maintenant être produit sans utiliser le processus TSV, tout en réduisant la consommation d’énergie d’environ 10% par rapport aux modules de 128 Go avec une DRAM de 16 Gb. Cette percée technologique fait du produit la solution optimale pour les entreprises qui mettent l’accent sur l’efficacité énergétique, telles que les centres de données.
Avec sa DRAM de 32 Gb DDR5 en classe de 12 nm comme base, Samsung prévoit de continuer à étendre sa gamme de DRAM à haute capacité pour répondre aux demandes actuelles et futures de l’industrie informatique et informatique. Samsung réaffirmera son leadership sur le marché de la DRAM de nouvelle génération en fournissant la DRAM de 32 Gb en classe de 12 nm aux centres de données ainsi qu’aux clients qui ont besoin d’applications telles que l’intelligence artificielle et l’informatique de nouvelle génération. Le produit jouera également un rôle important dans la collaboration continue de Samsung avec d’autres acteurs clés de l’industrie.
La production de masse de la nouvelle DRAM DDR5 de 32 Gb en classe de 12 nm est prévue pour commencer d’ici la fin de cette année.
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